单相Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810107696.6

申请日：

2018-02-02

公开(公告)号：

CN108341670B

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

陈青云徐贝贝李珺宁张锐熊玲珊王再宏

申请人：

申请人地址：

621010 四川省绵阳市涪城区青龙大道中段59号

IPC主分类号：

C04B3556

IPC分类号：

C04B3564

代理机构：

成都科海专利事务有限责任公司 51202

代理人：

黄幼陵

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-04	授权	授权
2018-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/56 申请日:20180202
2022-01-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/56 申请日:20180202 授权公告日:20200804 终止日期:20210202
2018-07-31	公开	公开

共 50 条

[1]

金属陶瓷Ti3SiC2粉体的制备方法 [P].

朱丽慧 ;

黄清伟 .

中国专利 :CN100364928C ,2006-07-12

[2]

一种Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法 [P].

夏田 ;

孙姝彤 ;

张静 .

中国专利 :CN108558404A ,2018-09-21

[3]

一种Ti3SiC2陶瓷材料的制备方法 [P].

王芬 ;

刘波波 ;

朱建锋 ;

杨志波 ;

许红娅 ;

薛小霜 ;

李强 .

中国专利 :CN101624287A ,2010-01-13

[4]

一种Ti3AlC2金属陶瓷的喷射沉积装置及制备Ti3AlC2金属陶瓷的方法 [P].

肖琪聃 ;

吴珊 ;

周峰 ;

金永报 ;

赵珍妮 ;

李蒙晓 .

中国专利 :CN109136629B ,2019-01-04

[5]

金属陶瓷的制备方法 [P].

孙兆波 ;

杨志刚 ;

苏红 .

中国专利 :CN108996992A ,2018-12-14

[6]

Ti基金属陶瓷 [P].

木下秀吉 ;

德永隆司 .

中国专利 :CN101617061B ,2009-12-30

[7]

金属陶瓷及金属陶瓷的制备方法 [P].

颜焰 ;

陈辉 ;

万武辉 .

中国专利 :CN102839311B ,2012-12-26

[8]

Ti(C，N)基金属陶瓷的制备方法 [P].

郑汉东 .

中国专利 :CN103774021B ,2014-05-07

[9]

一种制备高纯Ti3SiC2粉体的方法 [P].

杨金山 ;

董绍明 ;

张翔宇 ;

王震 ;

何平 ;

高乐 ;

胡建宝 ;

胡志辉 .

中国专利 :CN102530945A ,2012-07-04

[10]

一种熔渗烧结制备Ti3SiC2材料的方法 [P].

吕振林 ;

邢志国 ;

李开雄 .

中国专利 :CN101423395B ,2009-05-06

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