金属陶瓷Ti3SiC2粉体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610023282.2

申请日：

2006-01-12

公开(公告)号：

CN100364928C

公开(公告)日：

2006-07-12

发明(设计)人：

朱丽慧黄清伟

申请人：

申请人地址：

200444上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

C04B35622

IPC分类号：

C04B35626

代理机构：

上海上大专利事务所

代理人：

顾勇华

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101207310113 IPC(主分类):C04B 35/622 专利号:ZL2006100232822 申请日:20060112 授权公告日:20080130 终止日期:20110112
2006-07-12	公开	公开
2008-01-30	授权	授权
2006-09-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

单相Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法 [P].

陈青云 ;

徐贝贝 ;

李珺宁 ;

张锐 ;

熊玲珊 ;

王再宏 .

中国专利 :CN108341670B ,2018-07-31

[2]

一种Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法 [P].

夏田 ;

孙姝彤 ;

张静 .

中国专利 :CN108558404A ,2018-09-21

[3]

Ti3AlC2粉体的制备方法 [P].

朱丽慧 ;

黄清伟 ;

邓永清 .

中国专利 :CN100382918C ,2006-06-28

[4]

一种Ti3SiC2基粉体的制备方法 [P].

杨金山 ;

董绍明 ;

丁玉生 ;

王震 ;

周海军 .

中国专利 :CN102050448A ,2011-05-11

[5]

一种Ti3SiC2陶瓷材料的制备方法 [P].

王芬 ;

刘波波 ;

朱建锋 ;

杨志波 ;

许红娅 ;

薛小霜 ;

李强 .

中国专利 :CN101624287A ,2010-01-13

[6]

一种Ti3SiC2/Ag复合导电粉体的制备方法 [P].

刘毅 ;

苏晓磊 ;

徐洁 ;

王俊勃 ;

贺辛亥 ;

屈银虎 .

中国专利 :CN107243630A ,2017-10-13

[7]

一种Ti3SiC2/Cu复合导电粉体的制备方法 [P].

刘毅 ;

苏晓磊 ;

徐洁 ;

王俊勃 ;

贺辛亥 ;

屈银虎 .

中国专利 :CN107020374A ,2017-08-08

[8]

一种六方层状结构Ti3SiC2粉体的制备方法 [P].

李长生 ;

吴琼 ;

唐华 ;

杨峰 ;

宋新亚 ;

刘万章 .

中国专利 :CN102180673A ,2011-09-14

[9]

制备金属陶瓷的原料粉以及金属陶瓷的制备方法 [P].

颜焰 ;

邱嵩 ;

刘毅 ;

黄建华 ;

张鹛媚 .

中国专利 :CN108220734B ,2018-06-29

[10]

一种Ti3AlC2金属陶瓷的喷射沉积装置及制备Ti3AlC2金属陶瓷的方法 [P].

肖琪聃 ;

吴珊 ;

周峰 ;

金永报 ;

赵珍妮 ;

李蒙晓 .

中国专利 :CN109136629B ,2019-01-04

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