一种Ti3SiC2基粉体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910198406.4

申请日：

2009-11-06

公开(公告)号：

CN102050448A

公开(公告)日：

2011-05-11

发明(设计)人：

杨金山董绍明丁玉生王震周海军

申请人：

申请人地址：

200050 上海市定西路1295号

IPC主分类号：

C01B3130

IPC分类号：

C04B3556

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-16	授权	授权
2011-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101081909209 IPC(主分类):C01B 31/30 专利申请号:2009101984064 申请日:20091106
2011-05-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备高纯Ti3SiC2粉体的方法 [P].

杨金山 ;

董绍明 ;

张翔宇 ;

王震 ;

何平 ;

高乐 ;

胡建宝 ;

胡志辉 .

中国专利 :CN102530945A ,2012-07-04

[2]

金属陶瓷Ti3SiC2粉体的制备方法 [P].

朱丽慧 ;

黄清伟 .

中国专利 :CN100364928C ,2006-07-12

[3]

一种六方层状结构Ti3SiC2粉体的制备方法 [P].

李长生 ;

吴琼 ;

唐华 ;

杨峰 ;

宋新亚 ;

刘万章 .

中国专利 :CN102180673A ,2011-09-14

[4]

一种Ti3SiC2/Ag复合导电粉体的制备方法 [P].

刘毅 ;

苏晓磊 ;

徐洁 ;

王俊勃 ;

贺辛亥 ;

屈银虎 .

中国专利 :CN107243630A ,2017-10-13

[5]

一种Ti3SiC2/Cu复合导电粉体的制备方法 [P].

刘毅 ;

苏晓磊 ;

徐洁 ;

王俊勃 ;

贺辛亥 ;

屈银虎 .

中国专利 :CN107020374A ,2017-08-08

[6]

一种Ti3SiC2/SiC功能梯度材料的制备方法 [P].

蔡艳芝 ;

尹洪峰 ;

王晓东 ;

蔚文绪 ;

马军强 .

中国专利 :CN105541331A ,2016-05-04

[7]

一种无压烧结合成高纯度Ti3SiC2粉体的方法 [P].

李长生 ;

杨锋 ;

唐华 .

中国专利 :CN102659106A ,2012-09-12

[8]

一种快速合成Ti3SiC2亚微米粉体的方法 [P].

史晓亮 ;

彭美超 ;

章桥新 ;

祝志伟 ;

王莽 ;

冯四平 ;

秦海波 .

中国专利 :CN102153347A ,2011-08-17

[9]

一种大尺寸Ti3SiC2陶瓷材料的制备方法 [P].

单迪 ;

闫果 ;

周廉 ;

王庆阳 ;

刘国庆 ;

焦高峰 ;

熊晓梅 ;

杨芳 .

中国专利 :CN102206079A ,2011-10-05

[10]

Ag/Ti3SiC2电接触复合材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

贺庆 ;

陈乐生 ;

申乾宏 ;

乔秀清 ;

樊先平 .

中国专利 :CN102312150A ,2012-01-11

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