一种快速合成Ti3SiC2亚微米粉体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110024402.1

申请日：

2011-01-21

公开(公告)号：

CN102153347A

公开(公告)日：

2011-08-17

发明(设计)人：

史晓亮彭美超章桥新祝志伟王莽冯四平秦海波

申请人：

申请人地址：

430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

IPC主分类号：

C04B3556

IPC分类号：

C04B3564 C22C2906 C22C105

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人：

唐万荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101113915989 IPC(主分类):C04B 35/56 专利申请号:2011100244021 申请日:20110121
2015-03-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101602182401 IPC(主分类):C04B 35/56 专利号:ZL2011100244021 申请日:20110121 授权公告日:20130320 终止日期:20140121
2013-03-20	授权	授权
2011-08-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种合成Ti3SiC2高纯粉体的方法 [P].

史晓亮 ;

彭美超 ;

章桥新 ;

祝志伟 ;

王莽 ;

冯四平 ;

秦海波 .

中国专利 :CN102241514A ,2011-11-16

[2]

一种制备高纯Ti3SiC2粉体的方法 [P].

杨金山 ;

董绍明 ;

张翔宇 ;

王震 ;

何平 ;

高乐 ;

胡建宝 ;

胡志辉 .

中国专利 :CN102530945A ,2012-07-04

[3]

一种Ti3SiC2基粉体的制备方法 [P].

杨金山 ;

董绍明 ;

丁玉生 ;

王震 ;

周海军 .

中国专利 :CN102050448A ,2011-05-11

[4]

Ti3SiC2改性C/SiC复合材料的制备方法 [P].

殷小玮 ;

张立同 ;

成来飞 ;

何珊珊 ;

范尚武 ;

刘永胜 .

中国专利 :CN101508591B ,2009-08-19

[5]

一种无压烧结合成高纯度Ti3SiC2粉体的方法 [P].

李长生 ;

杨锋 ;

唐华 .

中国专利 :CN102659106A ,2012-09-12

[6]

一种多孔Ti3SiC2/SiC复合材料及其制备方法 [P].

刘新利 ;

贺跃辉 ;

江垚 ;

张惠斌 .

中国专利 :CN110885254A ,2020-03-17

[7]

一种Ti3SiC2陶瓷材料的制备方法 [P].

王芬 ;

刘波波 ;

朱建锋 ;

杨志波 ;

许红娅 ;

薛小霜 ;

李强 .

中国专利 :CN101624287A ,2010-01-13

[8]

一种多孔立方型Mn2O3亚微米粉体及其制备方法 [P].

董立春 ;

赵明辉 ;

任斌 ;

张莉梅 ;

陈思宏 .

中国专利 :CN105967239A ,2016-09-28

[9]

一种亚微米粉体分级装置 [P].

任红波 ;

李源 ;

刘冠华 ;

刘江华 ;

张满兰措 .

中国专利 :CN206951391U ,2018-02-02

[10]

一种六方层状结构Ti3SiC2粉体的制备方法 [P].

李长生 ;

吴琼 ;

唐华 ;

杨峰 ;

宋新亚 ;

刘万章 .

中国专利 :CN102180673A ,2011-09-14

← 1 2 3 4 5 →