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掩膜模具及其制备三维结构的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810839796.8
申请日：
2018-07-27
公开(公告)号：
CN109031881A
公开(公告)日：
2018-12-18
发明(设计)人：
刘恩辰 李文平 龙侦发
申请人：
申请人地址：
545006 广西壮族自治区柳州市城中区东环路286号广西科技大学
IPC主分类号：
G03F154
IPC分类号：
B82Y4000
代理机构：
代理人：
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-01-11 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/54 申请日:20180727
2018-12-18 公开 公开
共 50 条
[1]
三维存储器的制备方法及光刻掩膜版 [P]. 
张坤 ;
周文犀 ;
夏志良 .
中国专利 :CN113990883B ,2025-07-18
[2]
三维存储器的制备方法及光刻掩膜版 [P]. 
张坤 ;
周文犀 ;
夏志良 .
中国专利 :CN113990883A ,2022-01-28
[3]
掩膜条及其制备方法、掩膜基板、掩膜板的制备方法 [P]. 
王威 .
中国专利 :CN118932282A ,2024-11-12
[4]
三维结构超材料的制备方法及三维结构超材料 [P]. 
刘若鹏 ;
赵治亚 ;
王书文 ;
王文剑 .
中国专利 :CN102904047B ,2013-01-30
[5]
掩膜的制备方法及其应用 [P]. 
朱明光 ;
王子港 ;
吴魁艺 ;
刘仲雨 .
中国专利 :CN120048728A ,2025-05-27
[6]
掩膜图形的制备方法、半导体结构及其制备方法 [P]. 
杨蕾 .
中国专利 :CN118116795A ,2024-05-31
[7]
三维纳米结构阵列的制备方法 [P]. 
朱振东 ;
李群庆 ;
范守善 .
中国专利 :CN102259832A ,2011-11-30
[8]
掩膜版及其制备方法 [P]. 
张峰杰 ;
王伟杰 ;
张可忆 ;
薛金祥 ;
孙中元 .
中国专利 :CN118497664A ,2024-08-16
[9]
太阳电池及其制备方法、掩膜模具 [P]. 
徐鹏 .
中国专利 :CN121174656A ,2025-12-19
[10]
掩膜图形、半导体结构及其制备方法 [P]. 
宛强 ;
占康澍 ;
夏军 ;
李森 ;
徐朋辉 ;
刘涛 .
中国专利 :CN113078117A ,2021-07-06
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