非易失性闪存存储器单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880004609.2

申请日：

2018-02-07

公开(公告)号：

CN110024084B

公开(公告)日：

2019-07-16

发明(设计)人：

索努·达里亚纳尼博米·陈梅尔·海马斯

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423 H01L2966

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王艳娇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-10	授权	授权
2019-07-16	公开	公开
2020-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20180207

共 50 条

[1]

非易失性多级存储器单元 [P].

有留诚一 .

中国专利 :CN101842844A ,2010-09-22

[2]

非易失性静态存储器单元 [P].

R·库彭斯 ;

A·M·H·迪特维格 .

中国专利 :CN1809894B ,2006-07-26

[3]

非易失性闪存存储器及其擦除方法 [P].

沈安星 ;

张有志 ;

陈泽勇 .

中国专利 :CN114023754B ,2022-02-08

[4]

制造分裂栅非易失性闪存单元的方法 [P].

C.王 ;

L.邢 ;

A.刘 ;

M.刁 ;

X.刘 ;

N.杜 .

中国专利 :CN107425003B ,2017-12-01

[5]

在非易失性固态储存器中的非易失性RAM存储器和闪存存储器 [P].

J·海耶斯 ;

S·古普塔 ;

J·戴维斯 ;

B·金 ;

Z·谭 .

中国专利 :CN106663054A ,2017-05-10

[6]

非易失性半导体存储器 [P].

L·弗伯斯 .

中国专利 :CN1816913A ,2006-08-09

[7]

具有金属增强栅极的分裂栅非易失性闪存存储器单元及其制造方法 [P].

C-M.陈 ;

M-T.吴 ;

J-W.杨 ;

C-S.苏 .

中国专利 :CN107210303A ,2017-09-26

[8]

非易失存储器单元及其制备方法 [P].

徐泽东 ;

陈朗 .

中国专利 :CN107910331B ,2018-04-13

[9]

一种非易失性存储单元及其存储器 [P].

向建军 ;

何忠波 ;

王宇龙 ;

陈飞龙 .

中国专利 :CN119584540A ,2025-03-07

[10]

一种非易失性存储单元及其存储器 [P].

向建军 ;

何忠波 ;

王宇龙 ;

陈飞龙 .

中国专利 :CN119584540B ,2025-05-09

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