具有金属增强栅极的分裂栅非易失性闪存存储器单元及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580072475.4

申请日：

2015-11-06

公开(公告)号：

CN107210303A

公开(公告)日：

2017-09-26

发明(设计)人：

C-M.陈 M-T.吴 J-W.杨 C-S.苏

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2711524

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

申屠伟进;郑冀之

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 27/11524 申请公布日:20170926
2017-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11524 申请日:20151106
2017-09-26	公开	公开

共 50 条

[1]

具有金属栅的分裂栅非易失性闪存存储器单元及其制造方法 [P].

C.陈 ;

M.吴 ;

J.杨 ;

C.苏 .

中国专利 :CN107112355B ,2017-08-29

[2]

具有金属栅极的分裂栅极非易失性闪存存储器单元及其制造方法 [P].

C.苏 ;

F.周 ;

J-W.杨 ;

H.V.陈 ;

N.杜 .

中国专利 :CN108243625B ,2018-07-03

[3]

具有硅金属浮动栅极的分裂栅非易失性闪存单元及其制造方法 [P].

J-W.刘 ;

A.科托夫 ;

Y.特卡彻夫 ;

C-S.苏 .

中国专利 :CN105453229B ,2016-03-30

[4]

制造分裂栅非易失性闪存单元的方法 [P].

C.王 ;

L.邢 ;

A.刘 ;

M.刁 ;

X.刘 ;

N.杜 .

中国专利 :CN107425003B ,2017-12-01

[5]

减小型分裂栅非易失性闪存单元及其制造方法 [P].

C.王 .

中国专利 :CN107293546A ,2017-10-24

[6]

非易失性闪存存储器单元 [P].

索努·达里亚纳尼 ;

博米·陈 ;

梅尔·海马斯 .

中国专利 :CN110024084B ,2019-07-16

[7]

具有集成高K金属控制栅的非易失性分裂栅存储器单元及制造方法 [P].

杨任伟 ;

吴满堂 ;

陈俊铭 ;

苏千乗 ;

N·多 .

美国专利 :CN111418063B ,2024-01-30

[8]

具有集成高K金属控制栅的非易失性分裂栅存储器单元及制造方法 [P].

杨任伟 ;

吴满堂 ;

陈俊铭 ;

苏千乗 ;

N·多 .

中国专利 :CN111418063A ,2020-07-14

[9]

非易失性分裂栅存储器装置及其操作方法 [P].

H.V.陈 ;

H.Q.阮 ;

N.杜 .

中国专利 :CN107077891A ,2017-08-18

[10]

制造具有擦除栅极的分裂栅极闪存存储器单元的方法 [P].

J-W·杨 ;

C-M·陈 ;

M-T·吴 ;

C-C·范 ;

N·多 .

中国专利 :CN111133515A ,2020-05-08

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