具有金属栅极的分裂栅极非易失性闪存存储器单元及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680064295.6

申请日：

2016-10-17

公开(公告)号：

CN108243625B

公开(公告)日：

2018-07-03

发明(设计)人：

C.苏 F.周 J-W.杨 H.V.陈 N.杜

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

H01L2711524 H01L29423 H01L29788 H01L21336 H01L2128

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

姜冰;张金金

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-22	授权	授权
2018-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请日:20161017
2018-07-03	公开	公开

共 50 条

[1]

具有金属增强栅极的分裂栅非易失性闪存存储器单元及其制造方法 [P].

C-M.陈 ;

M-T.吴 ;

J-W.杨 ;

C-S.苏 .

中国专利 :CN107210303A ,2017-09-26

[2]

具有金属栅的分裂栅非易失性闪存存储器单元及其制造方法 [P].

C.陈 ;

M.吴 ;

J.杨 ;

C.苏 .

中国专利 :CN107112355B ,2017-08-29

[3]

制造具有擦除栅极的分裂栅极闪存存储器单元的方法 [P].

J-W·杨 ;

C-M·陈 ;

M-T·吴 ;

C-C·范 ;

N·多 .

中国专利 :CN111133515A ,2020-05-08

[4]

具有硅金属浮动栅极的分裂栅非易失性闪存单元及其制造方法 [P].

J-W.刘 ;

A.科托夫 ;

Y.特卡彻夫 ;

C-S.苏 .

中国专利 :CN105453229B ,2016-03-30

[5]

分裂栅极非易失存储器单元及其形成方法 [P].

田喜锡 ;

尹胜范 ;

韩晶昱 ;

金龙泰 .

中国专利 :CN1722446A ,2006-01-18

[6]

非易失性闪存存储器单元 [P].

索努·达里亚纳尼 ;

博米·陈 ;

梅尔·海马斯 .

中国专利 :CN110024084B ,2019-07-16

[7]

具有扩展的源极线FINFET的基于FINFET的分裂栅极非易失性闪存存储器及其制造方法 [P].

S·乔尔巴 ;

C·德科贝尔特 ;

周锋 ;

金珍浩 ;

X·刘 ;

N·多 .

中国专利 :CN113169174A ,2021-07-23

[8]

具有扩展的源极线FINFET的基于FINFET的分裂栅极非易失性闪存存储器及其制造方法 [P].

S·乔尔巴 ;

C·德科贝尔特 ;

周锋 ;

金珍浩 ;

X·刘 ;

N·多 .

美国专利 :CN113169174B ,2025-07-04

[9]

分裂栅极存储器单元 [P].

田中智晴 .

美国专利 :CN114694733B ,2025-10-31

[10]

分裂栅极存储器单元 [P].

田中智晴 .

中国专利 :CN114694733A ,2022-07-01

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