制造具有擦除栅极的分裂栅极闪存存储器单元的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880061962.4

申请日：

2018-09-21

公开(公告)号：

CN111133515A

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

J-W·杨 C-M·陈 M-T·吴 C-C·范 N·多

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G11C1610

IPC分类号：

H01L2711517 H01L2711521 H01L2711531 H01L29423 G11C1616

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陈斌

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-08	授权	授权
2020-05-08	公开	公开

共 50 条

[1]

具有字节擦除操作的分裂栅极闪存存储器阵列 [P].

梁轩 ;

杨任伟 ;

吴满堂 ;

N·多 ;

H·V·特兰 .

中国专利 :CN112119463A ,2020-12-22

[2]

具有字节擦除操作的分裂栅极闪存存储器阵列 [P].

梁轩 ;

杨任伟 ;

吴满堂 ;

N·多 ;

H·V·特兰 .

美国专利 :CN112119463B ,2024-03-29

[3]

具有浮动栅极、耦合栅极和擦除栅极的存储器单元及其制造方法 [P].

C·德科贝尔特 ;

H·V·特兰 ;

N·多 .

中国专利 :CN113169173A ,2021-07-23

[4]

制造分裂栅极按块擦除存储器单元的方法 [P].

吕联沂 .

中国专利 :CN1385898A ,2002-12-18

[5]

具有金属栅极的分裂栅极非易失性闪存存储器单元及其制造方法 [P].

C.苏 ;

F.周 ;

J-W.杨 ;

H.V.陈 ;

N.杜 .

中国专利 :CN108243625B ,2018-07-03

[6]

分裂栅极存储器单元 [P].

田中智晴 .

美国专利 :CN114694733B ,2025-10-31

[7]

分裂栅极存储器单元 [P].

田中智晴 .

中国专利 :CN114694733A ,2022-07-01

[8]

具有不同绝缘栅极氧化物的分裂栅闪存存储器单元及其形成方法 [P].

N·多 ;

苏千乗 ;

杨任伟 .

中国专利 :CN112074958A ,2020-12-11

[9]

具有不同绝缘栅极氧化物的分裂栅闪存存储器单元及其形成方法 [P].

N·多 ;

苏千乗 ;

杨任伟 .

美国专利 :CN112074958B ,2024-09-03

[10]

编程具有擦除栅的分裂栅闪存存储器单元的方法 [P].

Y·卡其夫 ;

A·柯多夫 ;

N·多 .

中国专利 :CN112585680A ,2021-03-30

← 1 2 3 4 5 →