具有不同绝缘栅极氧化物的分裂栅闪存存储器单元及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980030337.8

申请日：

2019-04-09

公开(公告)号：

CN112074958A

公开(公告)日：

2020-12-11

发明(设计)人：

N·多苏千乗杨任伟

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2966

IPC分类号：

H01L29788

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陈斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-11	公开	公开
2020-12-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/66 申请日:20190409

共 50 条

[1]

具有不同绝缘栅极氧化物的分裂栅闪存存储器单元及其形成方法 [P].

N·多 ;

苏千乗 ;

杨任伟 .

美国专利 :CN112074958B ,2024-09-03

[2]

形成分裂栅闪存存储器单元的方法 [P].

C.王 ;

X.刘 ;

N.杜 ;

邢精成 ;

G.Y.刘 ;

刁颖 .

美国专利 :CN112185815B ,2024-07-23

[3]

制造具有擦除栅极的分裂栅极闪存存储器单元的方法 [P].

J-W·杨 ;

C-M·陈 ;

M-T·吴 ;

C-C·范 ;

N·多 .

中国专利 :CN111133515A ,2020-05-08

[4]

利用较薄隧穿氧化物形成分裂栅极存储器单元的方法 [P].

杨任伟 ;

吴满堂 ;

范振智 ;

N·多 .

美国专利 :CN116058089B ,2024-01-30

[5]

编程具有擦除栅的分裂栅闪存存储器单元的方法 [P].

Y·卡其夫 ;

A·柯多夫 ;

N·多 .

中国专利 :CN112585680A ,2021-03-30

[6]

利用薄型隧道氧化物形成分裂栅极存储器单元的方法 [P].

金珍浩 ;

E·奎瓦斯 ;

P·加扎维 ;

B·贝尔泰洛 ;

G·费斯特斯 ;

C·德科贝尔特 ;

Y·卡其夫 ;

B·维拉德 ;

N·多 .

中国专利 :CN115039224A ,2022-09-09

[7]

利用薄型侧边缘隧道氧化物形成分裂栅极存储器单元的方法 [P].

金珍浩 ;

E·奎瓦斯 ;

Y·卡其夫 ;

P·加扎维 ;

B·贝尔泰洛 ;

G·费斯特斯 ;

B·维拉德 ;

C·德科贝尔特 ;

N·多 ;

J·F·蒂耶里 .

美国专利 :CN116058093B ,2024-02-13

[8]

分栅快闪存储器及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN103165615A ,2013-06-19

[9]

形成具有间隔物限定的浮栅和离散地形成的多晶硅栅的分裂栅闪存存储器单元的方法 [P].

C.王 ;

X.刘 ;

N.杜 ;

邢精成 ;

G.Y.刘 ;

刁颖 .

中国专利 :CN112185815A ,2021-01-05

[10]

闪存存储器及其制作方法、不同厚度栅极的形成方法 [P].

刘艳 ;

周儒领 .

中国专利 :CN103021951B ,2013-04-03

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