利用薄型隧道氧化物形成分裂栅极存储器单元的方法

被引：0

申请号：

CN202080095449.4

申请日：

2020-08-04

公开(公告)号：

CN115039224A

公开(公告)日：

2022-09-09

发明(设计)人：

金珍浩 E·奎瓦斯 P·加扎维 B·贝尔泰洛 G·费斯特斯 C·德科贝尔特 Y·卡其夫 B·维拉德 N·多

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2711536

IPC分类号：

H01L2128 H01L29423

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

蔡悦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11536 申请日:20200804
2022-09-09	公开	公开

共 50 条

[1]

利用薄型侧边缘隧道氧化物形成分裂栅极存储器单元的方法 [P].

金珍浩 ;

E·奎瓦斯 ;

Y·卡其夫 ;

P·加扎维 ;

B·贝尔泰洛 ;

G·费斯特斯 ;

B·维拉德 ;

C·德科贝尔特 ;

N·多 ;

J·F·蒂耶里 .

美国专利 :CN116058093B ,2024-02-13

[2]

利用较薄隧穿氧化物形成分裂栅极存储器单元的方法 [P].

杨任伟 ;

吴满堂 ;

范振智 ;

N·多 .

美国专利 :CN116058089B ,2024-01-30

[3]

具有不同绝缘栅极氧化物的分裂栅闪存存储器单元及其形成方法 [P].

N·多 ;

苏千乗 ;

杨任伟 .

美国专利 :CN112074958B ,2024-09-03

[4]

具有不同绝缘栅极氧化物的分裂栅闪存存储器单元及其形成方法 [P].

N·多 ;

苏千乗 ;

杨任伟 .

中国专利 :CN112074958A ,2020-12-11

[5]

形成分裂栅闪存存储器单元的方法 [P].

C.王 ;

X.刘 ;

N.杜 ;

邢精成 ;

G.Y.刘 ;

刁颖 .

美国专利 :CN112185815B ,2024-07-23

[6]

形成分裂栅存储器单元的方法 [P].

邢精成 ;

C.王 ;

G.Y.刘 ;

刁颖 ;

X.刘 ;

N.杜 .

中国专利 :CN112185970A ,2021-01-05

[7]

形成分裂栅存储器单元的方法 [P].

邢精成 ;

C.王 ;

G.Y.刘 ;

刁颖 ;

X.刘 ;

N.杜 .

美国专利 :CN112185970B ,2024-05-28

[8]

分裂栅极存储器单元 [P].

田中智晴 .

美国专利 :CN114694733B ,2025-10-31

[9]

分裂栅极存储器单元 [P].

田中智晴 .

中国专利 :CN114694733A ,2022-07-01

[10]

FinFET中的分裂栅极存储器单元 [P].

高里尚卡尔·L·真达洛雷 ;

克雷格·T·斯维夫特 .

中国专利 :CN101336481B ,2008-12-31

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