FinFET中的分裂栅极存储器单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680051905.5

申请日：

2006-12-19

公开(公告)号：

CN101336481B

公开(公告)日：

2008-12-31

发明(设计)人：

高里尚卡尔·L·真达洛雷克雷格·T·斯维夫特

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

H01L2976

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

陆锦华;穆德骏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-10	授权	授权
2018-02-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/76 申请日:20061219 授权公告日:20110810 终止日期:20161219
2009-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-12-31	公开	公开

共 50 条

[1]

分裂栅极存储器单元 [P].

田中智晴 .

美国专利 :CN114694733B ,2025-10-31

[2]

分裂栅极存储器单元 [P].

田中智晴 .

中国专利 :CN114694733A ,2022-07-01

[3]

垂直存储器中的浮动栅极存储器单元 [P].

查尔斯·H·丹尼森 ;

合田晃 ;

约翰·霍普金斯 ;

法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 ;

克里希纳·K·帕拉 .

中国专利 :CN105164808A ,2015-12-16

[4]

垂直存储器中的浮动栅极存储器单元 [P].

查尔斯·H·丹尼森 ;

合田晃 ;

约翰·霍普金斯 ;

法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 ;

克里希纳·K·帕拉 .

中国专利 :CN108461500B ,2018-08-28

[5]

分裂栅极非易失性存储器(NVM)单元及其方法 [P].

姜盛泽 ;

洪全敏 .

中国专利 :CN104022119A ,2014-09-03

[6]

制造具有擦除栅极的分裂栅极闪存存储器单元的方法 [P].

J-W·杨 ;

C-M·陈 ;

M-T·吴 ;

C-C·范 ;

N·多 .

中国专利 :CN111133515A ,2020-05-08

[7]

制造分裂栅极按块擦除存储器单元的方法 [P].

吕联沂 .

中国专利 :CN1385898A ,2002-12-18

[8]

具有多个部分的存储器单元栅极结构 [P].

K·M·考尔道 ;

P·夏尔马 ;

M·纳哈尔 ;

N·R·塔皮亚斯 ;

S·E·西里斯 .

美国专利 :CN120814350A ,2025-10-17

[9]

用于编程分裂栅极存储器单元的方法和对应的存储器器件 [P].

F·拉罗萨 ;

M·曼泰利 ;

S·尼埃尔 ;

A·雷尼耶 .

中国专利 :CN110085273A ,2019-08-02

[10]

制造分裂栅存储器单元的方法 [P].

M·T·赫里克 ;

张克民 ;

G·L·达洛尔 ;

姜盛泽 .

中国专利 :CN102187455A ,2011-09-14

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