具有多个部分的存储器单元栅极结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480014291.1

申请日：

2024-02-05

公开(公告)号：

CN120814350A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

K·M·考尔道 P·夏尔马 M·纳哈尔 N·R·塔皮亚斯 S·E·西里斯

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

H10D30/68 H10D64/27 H10D30/01

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

丁昕伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	公开	公开

共 50 条

[1]

具有2晶体管存储器单元的层级的存储器装置及具有多个部分的电荷存储结构 [P].

K·M·考尔道 ;

D·V·N·拉马斯瓦米 ;

K·萨尔帕特瓦里 ;

刘海涛 .

美国专利 :CN120304026A ,2025-07-11

[2]

具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构 [P].

曹沐潆 ;

陈纬仁 .

中国专利 :CN106206591A ,2016-12-07

[3]

控制具有第二控制栅极的DRAM存储器单元的方法 [P].

C·梅热 ;

R·费兰特 .

中国专利 :CN102087873A ,2011-06-08

[4]

FinFET中的分裂栅极存储器单元 [P].

高里尚卡尔·L·真达洛雷 ;

克雷格·T·斯维夫特 .

中国专利 :CN101336481B ,2008-12-31

[5]

具有浮置栅极的NOR存储器单元 [P].

叶炳辉 .

中国专利 :CN120753020A ,2025-10-03

[6]

包含堆叠存储器单元的易失性存储器装置 [P].

古屋良人 .

中国专利 :CN111213237A ,2020-05-29

[7]

具有存储器单元串及独立读写控制栅极的存储器装置 [P].

刘海涛 ;

K·M·考尔道 ;

A·法鲁辛 ;

Y·董 .

美国专利 :CN117716803A ,2024-03-15

[8]

具有浮动栅极、耦合栅极和擦除栅极的存储器单元及其制造方法 [P].

C·德科贝尔特 ;

H·V·特兰 ;

N·多 .

中国专利 :CN113169173A ,2021-07-23

[9]

包含FeFET存储器单元层面和竖直控制栅极的存储器装置 [P].

K·M·考尔道 ;

D·V·N·拉马斯瓦米 .

美国专利 :CN120304031A ,2025-07-11

[10]

分裂栅极存储器单元 [P].

田中智晴 .

美国专利 :CN114694733B ,2025-10-31

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