包含FeFET存储器单元层面和竖直控制栅极的存储器装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380082483.1

申请日：

2023-11-27

公开(公告)号：

CN120304031A

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

K·M·考尔道 D·V·N·拉马斯瓦米

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H10B51/20

IPC分类号：

H10B51/30 H10D30/60 H10D30/68 H10D30/01

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

丁昕伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	公开	公开
2025-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 51/20申请日:20231127

共 50 条

[1]

垂直存储器中的浮动栅极存储器单元 [P].

查尔斯·H·丹尼森 ;

合田晃 ;

约翰·霍普金斯 ;

法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 ;

克里希纳·K·帕拉 .

中国专利 :CN105164808A ,2015-12-16

[2]

垂直存储器中的浮动栅极存储器单元 [P].

查尔斯·H·丹尼森 ;

合田晃 ;

约翰·霍普金斯 ;

法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 ;

克里希纳·K·帕拉 .

中国专利 :CN108461500B ,2018-08-28

[3]

包含堆叠存储器单元的易失性存储器装置 [P].

古屋良人 .

中国专利 :CN111213237A ,2020-05-29

[4]

存储器单元和用于控制存储器单元的方法 [P].

杜源 ;

蒋明哲 ;

苏俊杰 ;

刘峻诚 .

中国专利 :CN110970064A ,2020-04-07

[5]

存储器单元和存储器阵列 [P].

B·拉耶恩德兰 ;

甯德雄 ;

林仲汉 .

中国专利 :CN101483185B ,2009-07-15

[6]

具有存储器单元串及独立读写控制栅极的存储器装置 [P].

刘海涛 ;

K·M·考尔道 ;

A·法鲁辛 ;

Y·董 .

美国专利 :CN117716803A ,2024-03-15

[7]

存储器单元 [P].

钱德拉·穆利 .

中国专利 :CN102473680B ,2012-05-23

[8]

存储器单元和具有存储器单元的半导体存储器件 [P].

金承焕 .

中国专利 :CN114843272A ,2022-08-02

[9]

具有双晶体管竖直存储器单元的存储器装置 [P].

S·普卢居尔塔 ;

D·V·N·拉马斯瓦米 .

美国专利 :CN113330565B ,2025-01-07

[10]

具有双晶体管竖直存储器单元的存储器装置 [P].

S·普卢居尔塔 ;

D·V·N·拉马斯瓦米 .

中国专利 :CN113330565A ,2021-08-31

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