具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510255970.0

申请日：

2015-05-19

公开(公告)号：

CN106206591A

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

曹沐潆陈纬仁

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

代理机构：

深圳新创友知识产权代理有限公司 44223

代理人：

江耀纯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-14	授权	授权
2016-12-07	公开	公开
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695176322 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2015102559700 申请日:20150519

共 50 条

[1]

具有单个多晶硅浮动栅极和接触控制栅极的非易失性存储器单元 [P].

R·布雷戈利 ;

A·兰齐 ;

F·卡拉斯 ;

L·阿特泽尼 .

:CN120936030A ,2025-11-11

[2]

每位多单元的非易失性存储器单元 [P].

陈志欣 ;

赖宗沐 ;

王世辰 .

中国专利 :CN109841629A ,2019-06-04

[3]

具有延伸阱的非易失性存储器单元 [P].

D.卢卡舍维奇 .

中国专利 :CN102347077A ,2012-02-08

[4]

单层多晶非易失性存储器单元 [P].

赖纳·赫贝霍尔茨 .

中国专利 :CN102881692B ,2013-01-16

[5]

存储器单元和非易失性存储器 [P].

F·拉罗萨 .

中国专利 :CN204991153U ,2016-01-20

[6]

用于单栅极非易失性存储器的结构及方法 [P].

廖大传 ;

杨健国 ;

徐英杰 ;

陈世宪 ;

郭良泰 ;

柯钧耀 .

中国专利 :CN103050496A ,2013-04-17

[7]

用于单栅极非易失性存储器件的结构和方法 [P].

徐英杰 ;

曾皇文 .

中国专利 :CN102891148A ,2013-01-23

[8]

非易失性存储器单元、非易失性存储器单元阵列和非易失性存储器单元阵列的信息写入方法 [P].

横山孝司 ;

冈干生 ;

神田泰夫 .

中国专利 :CN114127943A ,2022-03-01

[9]

非易失性存储器 [P].

C·里韦罗 ;

P·波伊文 ;

F·塔耶 ;

R·西莫拉 .

中国专利 :CN114446971A ,2022-05-06

[10]

非易失性存储器结构 [P].

陈志欣 ;

陈纬仁 ;

赖宗沐 .

中国专利 :CN104241293A ,2014-12-24

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