单层多晶非易失性存储器单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210193196.1

申请日：

2012-06-12

公开(公告)号：

CN102881692B

公开(公告)日：

2013-01-16

发明(设计)人：

赖纳·赫贝霍尔茨

申请人：

申请人地址：

英国剑桥

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;吴孟秋

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-09	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101724835347 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2012101931961 变更事项:申请人变更前:剑桥硅无线电有限公司变更后:高通技术国际有限公司变更事项:地址变更前:英国剑桥变更后:英国剑桥
2014-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584297034 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2012101931961 申请日:20120612
2013-01-16	公开	公开
2016-11-02	授权	授权

共 50 条

[1]

单层多晶硅非易失性存储器单元 [P].

李翊宏 ;

赖妍心 ;

罗明山 ;

黄士展 .

中国专利 :CN104517966A ,2015-04-15

[2]

单层多晶硅非易失性存储器元件 [P].

陈冠勋 ;

罗明山 ;

苏婷婷 .

中国专利 :CN107978600A ,2018-05-01

[3]

具有延伸阱的非易失性存储器单元 [P].

D.卢卡舍维奇 .

中国专利 :CN102347077A ,2012-02-08

[4]

与CMOS兼容的单层多晶硅非易失性存储器 [P].

周显峰 ;

李迪 .

中国专利 :CN101329913A ,2008-12-24

[5]

非易失性存储器 [P].

C·里韦罗 ;

P·波伊文 ;

F·塔耶 ;

R·西莫拉 .

中国专利 :CN114446971A ,2022-05-06

[6]

内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路 [P].

徐清祥 ;

朱志勋 ;

何明洲 ;

沈士杰 .

中国专利 :CN1531097A ,2004-09-22

[7]

具有单多晶硅层存储器单元的非易失性存储器器件 [P].

F·托里切利 ;

L·科拉朗奥 ;

A·里奇利 ;

Z·科瓦克斯-瓦杰纳 .

中国专利 :CN103515393A ,2014-01-15

[8]

非易失性存储器单元、非易失性存储器单元阵列和非易失性存储器单元阵列的信息写入方法 [P].

横山孝司 ;

冈干生 ;

神田泰夫 .

中国专利 :CN114127943A ,2022-03-01

[9]

存储器单元和非易失性存储器 [P].

F·拉罗萨 .

中国专利 :CN204991153U ,2016-01-20

[10]

每位多单元的非易失性存储器单元 [P].

陈志欣 ;

赖宗沐 ;

王世辰 .

中国专利 :CN109841629A ,2019-06-04

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