具有单多晶硅层存储器单元的非易失性存储器器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310273190.X

申请日：

2013-06-25

公开(公告)号：

CN103515393A

公开(公告)日：

2014-01-15

发明(设计)人：

F·托里切利 L·科拉朗奥 A·里奇利 Z·科瓦克斯-瓦杰纳

申请人：

申请人地址：

意大利阿格拉布里安扎

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-20	授权	授权
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615821639 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:201310273190X 申请日:20130625
2014-01-15	公开	公开

共 50 条

[1]

单层多晶硅非易失性存储器单元 [P].

李翊宏 ;

赖妍心 ;

罗明山 ;

黄士展 .

中国专利 :CN104517966A ,2015-04-15

[2]

单层多晶硅非易失性存储器元件 [P].

陈冠勋 ;

罗明山 ;

苏婷婷 .

中国专利 :CN107978600A ,2018-05-01

[3]

单层多晶非易失性存储器单元 [P].

赖纳·赫贝霍尔茨 .

中国专利 :CN102881692B ,2013-01-16

[4]

与CMOS兼容的单层多晶硅非易失性存储器 [P].

周显峰 ;

李迪 .

中国专利 :CN101329913A ,2008-12-24

[5]

存储器单元和非易失性存储器 [P].

F·拉罗萨 .

中国专利 :CN204991153U ,2016-01-20

[6]

具有单个多晶硅浮动栅极和接触控制栅极的非易失性存储器单元 [P].

R·布雷戈利 ;

A·兰齐 ;

F·卡拉斯 ;

L·阿特泽尼 .

:CN120936030A ,2025-11-11

[7]

内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路 [P].

徐清祥 ;

朱志勋 ;

何明洲 ;

沈士杰 .

中国专利 :CN1531097A ,2004-09-22

[8]

具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对 [P].

B·洛耶克 .

中国专利 :CN1836336A ,2006-09-20

[9]

非易失性存储器器件 [P].

金灿镐 ;

尹敬和 ;

边大锡 .

中国专利 :CN112447759A ,2021-03-05

[10]

非易失性存储器器件 [P].

F·托里切利 ;

L·科拉朗奥 ;

A·里奇利 ;

Z·科瓦克斯-瓦杰纳 .

中国专利 :CN203366749U ,2013-12-25

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