与CMOS兼容的单层多晶硅非易失性存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810127017.8

申请日：

2008-06-18

公开(公告)号：

CN101329913A

公开(公告)日：

2008-12-24

发明(设计)人：

周显峰李迪

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G11C1604

IPC分类号：

H01L27115 H01L23522 G11C1612 G11C1626 G11C1610 G11C1614

代理机构：

北京嘉和天工知识产权代理事务所

代理人：

严慎

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-12-24	公开	公开
2012-04-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101330730329 IPC(主分类):G11C 16/04 专利申请号:2008101270178 公开日:20081224

共 50 条

[1]

单层多晶硅非易失性存储器单元 [P].

李翊宏 ;

赖妍心 ;

罗明山 ;

黄士展 .

中国专利 :CN104517966A ,2015-04-15

[2]

单层多晶硅非易失性存储器元件 [P].

陈冠勋 ;

罗明山 ;

苏婷婷 .

中国专利 :CN107978600A ,2018-05-01

[3]

内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路 [P].

徐清祥 ;

朱志勋 ;

何明洲 ;

沈士杰 .

中国专利 :CN1531097A ,2004-09-22

[4]

单层多晶硅非易失性存储器装置的操作方法 [P].

王世辰 ;

陈信铭 ;

卢俊宏 ;

何明洲 ;

沈士杰 ;

徐清祥 .

中国专利 :CN1967878A ,2007-05-23

[5]

CMOS兼容非易失性存储器单元结构、操作和阵列配置 [P].

李迪 ;

周显峰 .

中国专利 :CN101373634A ,2009-02-25

[6]

单层多晶非易失性存储器单元 [P].

赖纳·赫贝霍尔茨 .

中国专利 :CN102881692B ,2013-01-16

[7]

具有单多晶硅层存储器单元的非易失性存储器器件 [P].

F·托里切利 ;

L·科拉朗奥 ;

A·里奇利 ;

Z·科瓦克斯-瓦杰纳 .

中国专利 :CN103515393A ,2014-01-15

[8]

具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对 [P].

B·洛耶克 .

中国专利 :CN1836336A ,2006-09-20

[9]

兼容标准CMOS工艺的伪差分结构非易失性存储器 [P].

李文晓 ;

李建成 ;

李聪 ;

尚靖 ;

王震 ;

吴建飞 ;

王宏义 ;

谷晓忱 ;

李浩 .

中国专利 :CN104157308A ,2014-11-19

[10]

具有单个多晶硅浮动栅极和接触控制栅极的非易失性存储器单元 [P].

R·布雷戈利 ;

A·兰齐 ;

F·卡拉斯 ;

L·阿特泽尼 .

:CN120936030A ,2025-11-11

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