具有单个多晶硅浮动栅极和接触控制栅极的非易失性存储器单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510526165.0

申请日：

2025-04-25

公开(公告)号：

CN120936030A

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

R·布雷戈利 A·兰齐 F·卡拉斯 L·阿特泽尼

申请人：

意法半导体国际公司

申请人地址：

瑞士

IPC主分类号：

H10B41/35

IPC分类号：

H10B41/41

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

郭万方

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	公开	公开
2025-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/35申请日:20250425

共 50 条

[1]

具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构 [P].

曹沐潆 ;

陈纬仁 .

中国专利 :CN106206591A ,2016-12-07

[2]

单层多晶硅非易失性存储器单元 [P].

李翊宏 ;

赖妍心 ;

罗明山 ;

黄士展 .

中国专利 :CN104517966A ,2015-04-15

[3]

具有单多晶硅层存储器单元的非易失性存储器器件 [P].

F·托里切利 ;

L·科拉朗奥 ;

A·里奇利 ;

Z·科瓦克斯-瓦杰纳 .

中国专利 :CN103515393A ,2014-01-15

[4]

单层多晶硅非易失性存储器元件 [P].

陈冠勋 ;

罗明山 ;

苏婷婷 .

中国专利 :CN107978600A ,2018-05-01

[5]

非易失性存储器控制栅极字线的加工方法 [P].

曹恒 ;

金龙灿 ;

杨海玩 .

中国专利 :CN101866884B ,2010-10-20

[6]

具有成形浮动栅极的非易失性存储器 [P].

尼玛·穆赫莱斯 .

中国专利 :CN101523559B ,2009-09-02

[7]

内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路 [P].

徐清祥 ;

朱志勋 ;

何明洲 ;

沈士杰 .

中国专利 :CN1531097A ,2004-09-22

[8]

浮动栅极非易失性存储器及其制作方法 [P].

池田雄次 .

中国专利 :CN100411177C ,2006-02-15

[9]

具有浮动栅极、耦合栅极和擦除栅极的存储器单元及其制造方法 [P].

C·德科贝尔特 ;

H·V·特兰 ;

N·多 .

中国专利 :CN113169173A ,2021-07-23

[10]

与CMOS兼容的单层多晶硅非易失性存储器 [P].

周显峰 ;

李迪 .

中国专利 :CN101329913A ,2008-12-24

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