具有成形浮动栅极的非易失性存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780030319.7

申请日：

2007-08-02

公开(公告)号：

CN101523559B

公开(公告)日：

2009-09-02

发明(设计)人：

尼玛·穆赫莱斯

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L218247 H01L27115 H01L29423 H01L213213

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

刘国伟

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/28 登记生效日:20220302 变更事项:专利权人变更前权利人:桑迪士克科技有限责任公司变更后权利人:沃登科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国德克萨斯州变更后权利人:美国特拉华州
2016-07-27	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101736170436 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL2007800303197 变更事项:专利权人变更前:桑迪士克科技公司变更后:桑迪士克科技有限责任公司变更事项:地址变更前:美国德克萨斯州变更后:美国德克萨斯州
2012-12-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101479150418 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2007800303197 变更事项:申请人变更前权利人:桑迪士克股份有限公司变更后权利人:桑迪士克科技公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:美国德克萨斯州登记生效日:20121101
2009-10-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-05-01	授权	授权
2009-09-02	公开	公开

共 50 条

[1]

具有成簇的存储器单元的非易失性存储器器件 [P].

F·德桑蒂斯 ;

M·帕索蒂 ;

A·拉尔 .

中国专利 :CN103578545A ,2014-02-12

[2]

浮动栅极非易失性存储器及其制作方法 [P].

池田雄次 .

中国专利 :CN100411177C ,2006-02-15

[3]

具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构 [P].

曹沐潆 ;

陈纬仁 .

中国专利 :CN106206591A ,2016-12-07

[4]

具有单个多晶硅浮动栅极和接触控制栅极的非易失性存储器单元 [P].

R·布雷戈利 ;

A·兰齐 ;

F·卡拉斯 ;

L·阿特泽尼 .

:CN120936030A ,2025-11-11

[5]

一种测试具有浮动栅极的非易失性存储器单元的数据保持的方法 [P].

V·马科夫 ;

J·尤 ;

S·班萨尔 ;

A·科托夫 .

中国专利 :CN103988281A ,2014-08-13

[6]

非易失性存储器 [P].

春日和则 .

中国专利 :CN101751996A ,2010-06-23

[7]

多指栅极非易失性存储器基元 [P].

王蓝翔 ;

卓荣发 ;

陈学深 ;

蔡新树 ;

孙永顺 .

:CN114068563B ,2025-09-23

[8]

多指栅极非易失性存储器基元 [P].

王蓝翔 ;

卓荣发 ;

陈学深 ;

蔡新树 ;

孙永顺 .

中国专利 :CN114068563A ,2022-02-18

[9]

非易失性存储器和具有该非易失性存储器的存储装置 [P].

表锡洙 ;

郑铉泽 .

中国专利 :CN104952478A ,2015-09-30

[10]

具有存储器栅极和源极线加扰的非易失性存储器阵列 [P].

C·陈 ;

约拉姆·比特森 ;

K-T·张 ;

阿米凯·吉万特 ;

S·谢蒂 ;

S·房 .

中国专利 :CN110050306A ,2019-07-23

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