单层多晶硅非易失性存储器单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410341709.8

申请日：

2014-07-17

公开(公告)号：

CN104517966A

公开(公告)日：

2015-04-15

发明(设计)人：

李翊宏赖妍心罗明山黄士展

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

代理机构：

深圳新创友知识产权代理有限公司 44223

代理人：

江耀纯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-15	公开	公开
2015-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101609208484 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2014103417098 申请日:20140717
2018-01-19	授权	授权

共 50 条

[1]

单层多晶硅非易失性存储器元件 [P].

陈冠勋 ;

罗明山 ;

苏婷婷 .

中国专利 :CN107978600A ,2018-05-01

[2]

单层多晶非易失性存储器单元 [P].

赖纳·赫贝霍尔茨 .

中国专利 :CN102881692B ,2013-01-16

[3]

与CMOS兼容的单层多晶硅非易失性存储器 [P].

周显峰 ;

李迪 .

中国专利 :CN101329913A ,2008-12-24

[4]

内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路 [P].

徐清祥 ;

朱志勋 ;

何明洲 ;

沈士杰 .

中国专利 :CN1531097A ,2004-09-22

[5]

具有单多晶硅层存储器单元的非易失性存储器器件 [P].

F·托里切利 ;

L·科拉朗奥 ;

A·里奇利 ;

Z·科瓦克斯-瓦杰纳 .

中国专利 :CN103515393A ,2014-01-15

[6]

具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对 [P].

B·洛耶克 .

中国专利 :CN1836336A ,2006-09-20

[7]

单层多晶硅非易失性存储器装置的操作方法 [P].

王世辰 ;

陈信铭 ;

卢俊宏 ;

何明洲 ;

沈士杰 ;

徐清祥 .

中国专利 :CN1967878A ,2007-05-23

[8]

具有单个多晶硅浮动栅极和接触控制栅极的非易失性存储器单元 [P].

R·布雷戈利 ;

A·兰齐 ;

F·卡拉斯 ;

L·阿特泽尼 .

:CN120936030A ,2025-11-11

[9]

具有可编程可擦除的单一多晶硅层非易失性存储器 [P].

徐德训 ;

陈信铭 ;

杨青松 ;

景文澔 ;

陈纬仁 .

中国专利 :CN103311252A ,2013-09-18

[10]

单层多晶硅非易失性存储单元及其存储器 [P].

宁丹 ;

何忠波 ;

王腾峰 .

中国专利 :CN112786602B ,2021-05-11

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