单层多晶硅非易失性存储单元及其存储器

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专利类型
发明
申请号
CN202011083173.6
申请日
2020-10-12
公开(公告)号
CN112786602B
公开(公告)日
2021-05-11
发明(设计)人
宁丹 何忠波 王腾峰
申请人
申请人地址
610041 四川省成都市高新区天府五街200号1号楼A座4楼
IPC主分类号
H01L2711524
IPC分类号
G11C1604
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
单层多晶硅非易失性存储单元 [P]. 
崔光一 ;
朴圣根 ;
金南润 .
中国专利 :CN107093456B ,2017-08-25
[2]
可高度微缩的单层多晶硅非易失性存储单元 [P]. 
徐德训 ;
黎俊霄 ;
陈学威 .
中国专利 :CN105244352A ,2016-01-13
[3]
单层多晶硅非易失性存储单元的操作方法 [P]. 
许家荣 ;
孙文堂 .
中国专利 :CN108346662A ,2018-07-31
[4]
具有擦除元件的单层多晶硅非易失性存储单元结构 [P]. 
孙文堂 ;
陈纬仁 ;
陈英哲 .
中国专利 :CN108206186A ,2018-06-26
[5]
单层多晶硅非易失性存储单元、其阵列以及其操作方法 [P]. 
金正勋 .
中国专利 :CN107093605B ,2017-08-25
[6]
单一多晶硅层非易失性存储单元 [P]. 
陈学威 ;
孙文堂 ;
陈纬仁 .
中国专利 :CN120568763A ,2025-08-29
[7]
单层多晶硅非易失性存储单元、其阵列及操作其的方法 [P]. 
金南润 .
中国专利 :CN107039448A ,2017-08-11
[8]
单层多晶硅非易失性存储器单元 [P]. 
李翊宏 ;
赖妍心 ;
罗明山 ;
黄士展 .
中国专利 :CN104517966A ,2015-04-15
[9]
非易失性存储单元和存储器 [P]. 
杨慧玲 ;
郭建国 ;
王雄伟 .
中国专利 :CN104347114B ,2015-02-11
[10]
非易失性存储单元与存储器件 [P]. 
T·C·H·姚 ;
G·J·斯歌特 .
中国专利 :CN204966499U ,2016-01-13