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单层多晶硅非易失性存储单元及其存储器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011083173.6
申请日
:
2020-10-12
公开(公告)号
:
CN112786602B
公开(公告)日
:
2021-05-11
发明(设计)人
:
宁丹
何忠波
王腾峰
申请人
:
申请人地址
:
610041 四川省成都市高新区天府五街200号1号楼A座4楼
IPC主分类号
:
H01L2711524
IPC分类号
:
G11C1604
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-05-11
公开
公开
2022-08-26
授权
授权
2021-05-28
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11524 申请日:20201012
共 50 条
[1]
单层多晶硅非易失性存储单元
[P].
崔光一
论文数:
0
引用数:
0
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0
崔光一
;
朴圣根
论文数:
0
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0
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0
朴圣根
;
金南润
论文数:
0
引用数:
0
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0
金南润
.
中国专利
:CN107093456B
,2017-08-25
[2]
可高度微缩的单层多晶硅非易失性存储单元
[P].
徐德训
论文数:
0
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0
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0
徐德训
;
黎俊霄
论文数:
0
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0
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0
黎俊霄
;
陈学威
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈学威
.
中国专利
:CN105244352A
,2016-01-13
[3]
单层多晶硅非易失性存储单元的操作方法
[P].
许家荣
论文数:
0
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0
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0
许家荣
;
孙文堂
论文数:
0
引用数:
0
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0
孙文堂
.
中国专利
:CN108346662A
,2018-07-31
[4]
具有擦除元件的单层多晶硅非易失性存储单元结构
[P].
孙文堂
论文数:
0
引用数:
0
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0
孙文堂
;
陈纬仁
论文数:
0
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0
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0
陈纬仁
;
陈英哲
论文数:
0
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0
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0
陈英哲
.
中国专利
:CN108206186A
,2018-06-26
[5]
单层多晶硅非易失性存储单元、其阵列以及其操作方法
[P].
金正勋
论文数:
0
引用数:
0
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0
金正勋
.
中国专利
:CN107093605B
,2017-08-25
[6]
单一多晶硅层非易失性存储单元
[P].
陈学威
论文数:
0
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0
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0
机构:
力旺电子股份有限公司
力旺电子股份有限公司
陈学威
;
孙文堂
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0
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机构:
力旺电子股份有限公司
力旺电子股份有限公司
孙文堂
;
陈纬仁
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
力旺电子股份有限公司
力旺电子股份有限公司
陈纬仁
.
中国专利
:CN120568763A
,2025-08-29
[7]
单层多晶硅非易失性存储单元、其阵列及操作其的方法
[P].
金南润
论文数:
0
引用数:
0
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0
金南润
.
中国专利
:CN107039448A
,2017-08-11
[8]
单层多晶硅非易失性存储器单元
[P].
李翊宏
论文数:
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0
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0
李翊宏
;
赖妍心
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0
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赖妍心
;
罗明山
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0
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罗明山
;
黄士展
论文数:
0
引用数:
0
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0
黄士展
.
中国专利
:CN104517966A
,2015-04-15
[9]
非易失性存储单元和存储器
[P].
杨慧玲
论文数:
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0
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0
杨慧玲
;
郭建国
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0
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0
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郭建国
;
王雄伟
论文数:
0
引用数:
0
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0
王雄伟
.
中国专利
:CN104347114B
,2015-02-11
[10]
非易失性存储单元与存储器件
[P].
T·C·H·姚
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0
引用数:
0
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0
T·C·H·姚
;
G·J·斯歌特
论文数:
0
引用数:
0
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0
G·J·斯歌特
.
中国专利
:CN204966499U
,2016-01-13
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