单层多晶硅非易失性存储单元的操作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810010973.1

申请日：

2018-01-05

公开(公告)号：

CN108346662A

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

许家荣孙文堂

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

代理机构：

深圳新创友知识产权代理有限公司 44223

代理人：

江耀纯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-31	公开	公开
2018-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20180105
2020-10-13	授权	授权

共 50 条

[1]

单层多晶硅非易失性存储单元 [P].

崔光一 ;

朴圣根 ;

金南润 .

中国专利 :CN107093456B ,2017-08-25

[2]

单层多晶硅非易失性存储单元、其阵列以及其操作方法 [P].

金正勋 .

中国专利 :CN107093605B ,2017-08-25

[3]

可高度微缩的单层多晶硅非易失性存储单元 [P].

徐德训 ;

黎俊霄 ;

陈学威 .

中国专利 :CN105244352A ,2016-01-13

[4]

具有擦除元件的单层多晶硅非易失性存储单元结构 [P].

孙文堂 ;

陈纬仁 ;

陈英哲 .

中国专利 :CN108206186A ,2018-06-26

[5]

单层多晶硅非易失性存储单元及其存储器 [P].

宁丹 ;

何忠波 ;

王腾峰 .

中国专利 :CN112786602B ,2021-05-11

[6]

单层多晶硅非易失性存储单元、其阵列及操作其的方法 [P].

金南润 .

中国专利 :CN107039448A ,2017-08-11

[7]

单一多晶硅层非易失性存储单元 [P].

陈学威 ;

孙文堂 ;

陈纬仁 .

中国专利 :CN120568763A ,2025-08-29

[8]

非易失性存储单元及其操作方法与非易失性内存 [P].

徐子轩 ;

施彦豪 .

中国专利 :CN100386883C ,2006-06-21

[9]

具有多晶硅多层绝缘结构的非易失性存储单元 [P].

赖二琨 ;

施彦豪 ;

徐子轩 ;

李士勤 ;

谢荣裕 ;

谢光宇 .

中国专利 :CN101221987B ,2008-07-16

[10]

非易失性存储单元和制造非易失性存储单元的方法 [P].

F·霍夫曼 ;

M·施佩希特 ;

J·卢伊肯 .

中国专利 :CN1901232A ,2007-01-24

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