具有多晶硅多层绝缘结构的非易失性存储单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710181223.2

申请日：

2007-10-25

公开(公告)号：

CN101221987B

公开(公告)日：

2008-07-16

发明(设计)人：

赖二琨施彦豪徐子轩李士勤谢荣裕谢光宇

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L29792

IPC分类号：

H01L2951 H01L2949 H01L27115 G11C1614

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

王英

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-27	授权	授权
2008-07-16	公开	公开
2008-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

具有擦除元件的单层多晶硅非易失性存储单元结构 [P].

孙文堂 ;

陈纬仁 ;

陈英哲 .

中国专利 :CN108206186A ,2018-06-26

[2]

单层多晶硅非易失性存储单元 [P].

崔光一 ;

朴圣根 ;

金南润 .

中国专利 :CN107093456B ,2017-08-25

[3]

可高度微缩的单层多晶硅非易失性存储单元 [P].

徐德训 ;

黎俊霄 ;

陈学威 .

中国专利 :CN105244352A ,2016-01-13

[4]

操作具有氧化/氮化多层绝缘结构非易失存储单元的方法 [P].

赖二琨 ;

施彦豪 ;

徐子轩 ;

李士勤 ;

谢荣裕 ;

谢光宇 .

中国专利 :CN101221956A ,2008-07-16

[5]

单一多晶硅层非易失性存储单元 [P].

陈学威 ;

孙文堂 ;

陈纬仁 .

中国专利 :CN120568763A ,2025-08-29

[6]

单层多晶硅非易失性存储单元及其存储器 [P].

宁丹 ;

何忠波 ;

王腾峰 .

中国专利 :CN112786602B ,2021-05-11

[7]

单层多晶硅非易失性存储单元的操作方法 [P].

许家荣 ;

孙文堂 .

中国专利 :CN108346662A ,2018-07-31

[8]

非易失性存储单元及具有非易失性存储单元的存储器阵列 [P].

吕函庭 .

中国专利 :CN101546784A ,2009-09-30

[9]

非易失性存储单元及具有非易失性存储单元的存储器阵列 [P].

吕函庭 ;

王嗣裕 .

中国专利 :CN1828944A ,2006-09-06

[10]

单层多晶硅非易失性存储单元、其阵列及操作其的方法 [P].

金南润 .

中国专利 :CN107039448A ,2017-08-11

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