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内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN03119145.2
申请日：
2003-03-14
公开(公告)号：
CN1531097A
公开(公告)日：
2004-09-22
发明(设计)人：
徐清祥
朱志勋
何明洲
沈士杰
申请人：
申请人地址：
台湾省新竹市
IPC主分类号：
H01L27115
IPC分类号：
H01L2702
代理机构：
北京市柳沈律师事务所
代理人：
李晓舒;魏晓刚
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2004-12-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2004-09-22 | 公开 | 公开 |
| 2009-07-01 | 发明专利申请公布后的驳回 | 发明专利申请公布后的驳回 |