具有延伸阱的非易失性存储器单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110215089.X

申请日：

2011-07-29

公开(公告)号：

CN102347077A

公开(公告)日：

2012-02-08

发明(设计)人：

D.卢卡舍维奇

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

IPC主分类号：

G11C1610

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

王岳;卢江

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-07	授权	授权
2012-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件序号:101208128804 IPC(主分类):G11C 16/10 专利申请号:201110215089X 申请日:20110729 号牌文件类型代码:1604
2012-02-08	公开	公开
2021-07-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 16/10 申请日:20110729 授权公告日:20150107 终止日期:20200729

共 50 条

[1]

单层多晶非易失性存储器单元 [P].

赖纳·赫贝霍尔茨 .

中国专利 :CN102881692B ,2013-01-16

[2]

具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构 [P].

曹沐潆 ;

陈纬仁 .

中国专利 :CN106206591A ,2016-12-07

[3]

非易失性存储器单元、非易失性存储器单元阵列和非易失性存储器单元阵列的信息写入方法 [P].

横山孝司 ;

冈干生 ;

神田泰夫 .

中国专利 :CN114127943A ,2022-03-01

[4]

非易失性存储器 [P].

C·里韦罗 ;

P·波伊文 ;

F·塔耶 ;

R·西莫拉 .

中国专利 :CN114446971A ,2022-05-06

[5]

每位多单元的非易失性存储器单元 [P].

陈志欣 ;

赖宗沐 ;

王世辰 .

中国专利 :CN109841629A ,2019-06-04

[6]

非易失性存储器的阱区延伸结构的制造方法 [P].

翁伟哲 ;

王炳尧 .

中国专利 :CN100536116C ,2008-05-07

[7]

存储器单元和非易失性存储器 [P].

F·拉罗萨 .

中国专利 :CN204991153U ,2016-01-20

[8]

具有单多晶硅层存储器单元的非易失性存储器器件 [P].

F·托里切利 ;

L·科拉朗奥 ;

A·里奇利 ;

Z·科瓦克斯-瓦杰纳 .

中国专利 :CN103515393A ,2014-01-15

[9]

非易失性存储器设备 [P].

J·德拉洛 .

中国专利 :CN206672935U ,2017-11-24

[10]

非易失性存储器及制造非易失性存储器的方法 [P].

吉野明 ;

秋山丰 .

中国专利 :CN1512564A ,2004-07-14

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