具有2晶体管存储器单元的层级的存储器装置及具有多个部分的电荷存储结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380082352.3

申请日：

2023-11-29

公开(公告)号：

CN120304026A

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

K·M·考尔道 D·V·N·拉马斯瓦米 K·萨尔帕特瓦里刘海涛

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

H10D84/83 H10D62/17 G11C8/14

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20231129
2025-07-11	公开	公开

共 50 条

[1]

具有2晶体管存储器单元的层级的存储器装置 [P].

K·M·考尔道 ;

D·V·N·拉马斯瓦米 ;

刘海涛 ;

K·萨尔帕特瓦里 .

美国专利 :CN120323093A ,2025-07-15

[2]

具有多个电荷存储层的存储器晶体管 [P].

依格·普利斯查克 ;

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 .

中国专利 :CN109585453A ,2019-04-05

[3]

具有多个电荷存储层的存储器晶体管 [P].

依格·普利斯查克 ;

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 .

中国专利 :CN104769724B ,2015-07-08

[4]

具有2晶体管垂直存储器单元的存储器装置 [P].

D·V·N·拉马斯瓦米 ;

K·M·考尔道 .

美国专利 :CN118176842A ,2024-06-11

[5]

具有多个部分的存储器单元栅极结构 [P].

K·M·考尔道 ;

P·夏尔马 ;

M·纳哈尔 ;

N·R·塔皮亚斯 ;

S·E·西里斯 .

美国专利 :CN120814350A ,2025-10-17

[6]

具有双晶体管竖直存储器单元的存储器装置 [P].

S·普卢居尔塔 ;

D·V·N·拉马斯瓦米 .

中国专利 :CN113330565A ,2021-08-31

[7]

具有双晶体管竖直存储器单元的存储器装置 [P].

S·普卢居尔塔 ;

D·V·N·拉马斯瓦米 .

美国专利 :CN113330565B ,2025-01-07

[8]

具有2晶体管竖直存储器单元和屏蔽结构的存储器装置 [P].

K·M·考尔道 ;

刘海涛 ;

K·萨尔帕特瓦里 ;

D·V·N·拉马斯瓦米 .

中国专利 :CN114503201A ,2022-05-13

[9]

具有双晶体管垂直存储器单元及共板的存储器装置 [P].

K·M·考尔道 ;

K·萨尔帕特瓦里 ;

刘海涛 ;

D·V·N·拉马斯瓦米 .

中国专利 :CN114365222A ,2022-04-15

[10]

具有双晶体管垂直存储器单元及共板的存储器装置 [P].

K·M·考尔道 ;

K·萨尔帕特瓦里 ;

刘海涛 ;

D·V·N·拉马斯瓦米 .

中国专利 :CN114365221A ,2022-04-15

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