具有多个电荷存储层的存储器晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380031840.8

申请日：

2013-07-01

公开(公告)号：

CN104769724B

公开(公告)日：

2015-07-08

发明(设计)人：

依格·普利斯查克赛格·利维克里希纳斯瓦米·库马尔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L29792

IPC分类号：

代理机构：

北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人：

张瑞;郑霞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-08	公开	公开
2018-09-18	授权	授权
2015-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101619264948 IPC(主分类):H01L 29/792 专利申请号:2013800318408 申请日:20130701

共 50 条

[1]

具有多个电荷存储层的存储器晶体管 [P].

依格·普利斯查克 ;

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 .

中国专利 :CN109585453A ,2019-04-05

[2]

电荷捕捉式非易失性存储器的存储晶体管 [P].

黎俊霄 ;

许家荣 ;

赖宗沐 .

中国专利 :CN118676217A ,2024-09-20

[3]

具有2晶体管存储器单元的层级的存储器装置及具有多个部分的电荷存储结构 [P].

K·M·考尔道 ;

D·V·N·拉马斯瓦米 ;

K·萨尔帕特瓦里 ;

刘海涛 .

美国专利 :CN120304026A ,2025-07-11

[4]

逻辑晶体管和非易失性存储器的制造方法 [P].

M·D·施罗夫 ;

M·D·霍尔 ;

F·K·小巴克尔 .

中国专利 :CN103794565A ,2014-05-14

[5]

非易失性存储器晶体管和包括该存储器晶体管的设备 [P].

李明宰 ;

赵成豪 ;

金镐正 ;

朴永洙 ;

D.徐 ;

柳寅敬 .

中国专利 :CN104347520A ,2015-02-11

[6]

具有高压晶体管、非易失性存储器晶体管及逻辑晶体管的半导体器件的制造方法 [P].

R·A·劳 ;

R·穆拉利德哈 .

中国专利 :CN101569006B ,2009-10-28

[7]

包括传输晶体管的非易失性存储器装置 [P].

李泽徽 ;

李载德 ;

李豪峻 ;

张盛弼 .

中国专利 :CN115643760A ,2023-01-24

[8]

晶体管驱动的3D存储器 [P].

A.米尼 ;

G.萨马奇萨 .

中国专利 :CN103314410A ,2013-09-18

[9]

具有多个用以储存电荷的电荷储存层的带隙工程存储器 [P].

吕函庭 .

中国专利 :CN105226062B ,2016-01-06

[10]

晶体管存储器 [P].

许宗祥 ;

单海权 .

中国专利 :CN106992174A ,2017-07-28

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