晶体管驱动的3D存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180065151.X

申请日：

2011-11-15

公开(公告)号：

CN103314410A

公开(公告)日：

2013-09-18

发明(设计)人：

A.米尼 G.萨马奇萨

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G11C1300

IPC分类号：

H01L4500

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

黄小临

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101733954097 IPC(主分类):G11C 13/00 专利号:ZL201180065151X 登记生效日:20160520 变更事项:专利权人变更前权利人:桑迪士克3D有限责任公司变更后权利人:桑迪士克科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:美国得克萨斯州
2013-09-18	公开	公开
2016-08-17	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101737223050 IPC(主分类):G11C 13/00 专利号:ZL201180065151X 变更事项:专利权人变更前:桑迪士克科技股份有限公司变更后:桑迪士克科技有限责任公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯州变更后:美国得克萨斯州
2015-11-25	授权	授权
2013-12-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101551128462 IPC(主分类):G11C 13/00 专利申请号:201180065151X 申请日:20111115

共 50 条

[1]

非易失性存储器晶体管和包括该存储器晶体管的设备 [P].

李明宰 ;

赵成豪 ;

金镐正 ;

朴永洙 ;

D.徐 ;

柳寅敬 .

中国专利 :CN104347520A ,2015-02-11

[2]

具有宽带隙晶体管解码器的3D非易失性存储器 [P].

彼得·拉布金 ;

东谷政昭 .

中国专利 :CN105359270B ,2016-02-24

[3]

3D存储器中的晶体管阈值电压维持 [P].

S·西塔拉曼 ;

P·萨格迪奥 ;

S·桑科勒 ;

C·叶 .

中国专利 :CN111292792A ,2020-06-16

[4]

串行栅极晶体管和包括该晶体管的非易失性存储器设备 [P].

李仟颜 ;

宋基焕 ;

秋教秀 ;

成锡江 .

韩国专利 :CN117545276A ,2024-02-09

[5]

具有多个电荷存储层的存储器晶体管 [P].

依格·普利斯查克 ;

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 .

中国专利 :CN109585453A ,2019-04-05

[6]

电荷捕捉式非易失性存储器的存储晶体管 [P].

黎俊霄 ;

许家荣 ;

赖宗沐 .

中国专利 :CN118676217A ,2024-09-20

[7]

具有多个电荷存储层的存储器晶体管 [P].

依格·普利斯查克 ;

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 .

中国专利 :CN104769724B ,2015-07-08

[8]

包括传输晶体管的非易失性存储器装置 [P].

李泽徽 ;

李载德 ;

李豪峻 ;

张盛弼 .

中国专利 :CN115643760A ,2023-01-24

[9]

具有高压晶体管、非易失性存储器晶体管及逻辑晶体管的半导体器件的制造方法 [P].

R·A·劳 ;

R·穆拉利德哈 .

中国专利 :CN101569006B ,2009-10-28

[10]

晶体管存储器 [P].

许宗祥 ;

单海权 .

中国专利 :CN106992174A ,2017-07-28

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