分裂栅极存储器单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111622449.8

申请日：

2021-12-28

公开(公告)号：

CN114694733B

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

田中智晴

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

G11C16/34

IPC分类号：

G11C16/10 G11C16/16 G11C16/26 G11C16/04

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	授权	授权

共 50 条

[1]

分裂栅极存储器单元 [P].

田中智晴 .

中国专利 :CN114694733A ,2022-07-01

[2]

FinFET中的分裂栅极存储器单元 [P].

高里尚卡尔·L·真达洛雷 ;

克雷格·T·斯维夫特 .

中国专利 :CN101336481B ,2008-12-31

[3]

制造具有擦除栅极的分裂栅极闪存存储器单元的方法 [P].

J-W·杨 ;

C-M·陈 ;

M-T·吴 ;

C-C·范 ;

N·多 .

中国专利 :CN111133515A ,2020-05-08

[4]

分裂栅极非易失性存储器(NVM)单元及其方法 [P].

姜盛泽 ;

洪全敏 .

中国专利 :CN104022119A ,2014-09-03

[5]

制造分裂栅极按块擦除存储器单元的方法 [P].

吕联沂 .

中国专利 :CN1385898A ,2002-12-18

[6]

用于编程分裂栅极存储器单元的方法和对应的存储器器件 [P].

F·拉罗萨 ;

M·曼泰利 ;

S·尼埃尔 ;

A·雷尼耶 .

中国专利 :CN110085273A ,2019-08-02

[7]

可伸缩分裂栅存储器单元阵列 [P].

简·A·耶特 ;

洪庄敏 ;

康承泰 ;

罗纳德·J·希兹德克 .

中国专利 :CN104134670B ,2014-11-05

[8]

垂直存储器中的浮动栅极存储器单元 [P].

查尔斯·H·丹尼森 ;

合田晃 ;

约翰·霍普金斯 ;

法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 ;

克里希纳·K·帕拉 .

中国专利 :CN105164808A ,2015-12-16

[9]

垂直存储器中的浮动栅极存储器单元 [P].

查尔斯·H·丹尼森 ;

合田晃 ;

约翰·霍普金斯 ;

法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 ;

克里希纳·K·帕拉 .

中国专利 :CN108461500B ,2018-08-28

[10]

前馈双向植入分裂栅极快闪存储器单元 [P].

柏向正 ;

D·T·格里德 .

中国专利 :CN107251149A ,2017-10-13

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