用于编程分裂栅极存储器单元的方法和对应的存储器器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910073190.2
申请日
2019-01-25
公开(公告)号
CN110085273A
公开(公告)日
2019-08-02
发明(设计)人
F·拉罗萨 M·曼泰利 S·尼埃尔 A·雷尼耶
申请人
申请人地址
法国克洛尔
IPC主分类号
G11C1604
IPC分类号
G11C1610 G11C1630 G11C1634
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
王茂华
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
分裂栅极存储器单元 [P]. 
田中智晴 .
美国专利 :CN114694733B ,2025-10-31
[2]
分裂栅极存储器单元 [P]. 
田中智晴 .
中国专利 :CN114694733A ,2022-07-01
[3]
用于存储器单元编程的设备和用于存储器单元编程的方法 [P]. 
A·S·叶 .
美国专利 :CN113470717B ,2024-08-06
[4]
存储器和用于对存储器单元编程的方法 [P]. 
渥尔夫·阿勒斯 ;
托马斯·尼尔希 ;
扬·奥特尔斯泰特 ;
多米尼克·萨维纳克 .
中国专利 :CN102903388B ,2013-01-30
[5]
存储器单元和用于控制存储器单元的方法 [P]. 
杜源 ;
蒋明哲 ;
苏俊杰 ;
刘峻诚 .
中国专利 :CN110970064A ,2020-04-07
[6]
FinFET中的分裂栅极存储器单元 [P]. 
高里尚卡尔·L·真达洛雷 ;
克雷格·T·斯维夫特 .
中国专利 :CN101336481B ,2008-12-31
[7]
存储器单元、形成存储器单元的方法及形成经编程的存储器单元的方法 [P]. 
刘峻 .
中国专利 :CN101939836A ,2011-01-05
[8]
存储器单元、存储器阵列和对存储器单元进行编程的方法 [P]. 
纳德尔·阿基勒 ;
米希尔·范杜雷恩 .
中国专利 :CN101652816A ,2010-02-17
[9]
存储器单元和存储器器件 [P]. 
A·卡萨格兰德 .
中国专利 :CN104616693B ,2015-05-13
[10]
存储器器件和存储器单元 [P]. 
吴哲 ;
李䈘傧 ;
李镇宇 ;
郑珪捧 .
韩国专利 :CN111192613B ,2024-10-18