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用于编程分裂栅极存储器单元的方法和对应的存储器器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910073190.2
申请日
:
2019-01-25
公开(公告)号
:
CN110085273A
公开(公告)日
:
2019-08-02
发明(设计)人
:
F·拉罗萨
M·曼泰利
S·尼埃尔
A·雷尼耶
申请人
:
申请人地址
:
法国克洛尔
IPC主分类号
:
G11C1604
IPC分类号
:
G11C1610
G11C1630
G11C1634
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
王茂华
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-08-02
公开
公开
2019-08-27
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/04 申请日:20190125
共 50 条
[1]
分裂栅极存储器单元
[P].
田中智晴
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
美光科技公司
美光科技公司
田中智晴
.
美国专利
:CN114694733B
,2025-10-31
[2]
分裂栅极存储器单元
[P].
田中智晴
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
田中智晴
.
中国专利
:CN114694733A
,2022-07-01
[3]
用于存储器单元编程的设备和用于存储器单元编程的方法
[P].
A·S·叶
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
美光科技公司
美光科技公司
A·S·叶
.
美国专利
:CN113470717B
,2024-08-06
[4]
存储器和用于对存储器单元编程的方法
[P].
渥尔夫·阿勒斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
渥尔夫·阿勒斯
;
托马斯·尼尔希
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
托马斯·尼尔希
;
扬·奥特尔斯泰特
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
扬·奥特尔斯泰特
;
多米尼克·萨维纳克
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
多米尼克·萨维纳克
.
中国专利
:CN102903388B
,2013-01-30
[5]
存储器单元和用于控制存储器单元的方法
[P].
杜源
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杜源
;
蒋明哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
蒋明哲
;
苏俊杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
苏俊杰
;
刘峻诚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘峻诚
.
中国专利
:CN110970064A
,2020-04-07
[6]
FinFET中的分裂栅极存储器单元
[P].
高里尚卡尔·L·真达洛雷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高里尚卡尔·L·真达洛雷
;
克雷格·T·斯维夫特
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
克雷格·T·斯维夫特
.
中国专利
:CN101336481B
,2008-12-31
[7]
存储器单元、形成存储器单元的方法及形成经编程的存储器单元的方法
[P].
刘峻
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘峻
.
中国专利
:CN101939836A
,2011-01-05
[8]
存储器单元、存储器阵列和对存储器单元进行编程的方法
[P].
纳德尔·阿基勒
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
纳德尔·阿基勒
;
米希尔·范杜雷恩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
米希尔·范杜雷恩
.
中国专利
:CN101652816A
,2010-02-17
[9]
存储器单元和存储器器件
[P].
A·卡萨格兰德
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
A·卡萨格兰德
.
中国专利
:CN104616693B
,2015-05-13
[10]
存储器器件和存储器单元
[P].
吴哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
吴哲
;
李䈘傧
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李䈘傧
;
李镇宇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李镇宇
;
郑珪捧
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
郑珪捧
.
韩国专利
:CN111192613B
,2024-10-18
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