制造分裂栅极按块擦除存储器单元的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01120724.8

申请日：

2001-05-16

公开(公告)号：

CN1385898A

公开(公告)日：

2002-12-18

发明(设计)人：

吕联沂

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹市新竹科学工业园区研新三路4号

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

任永武

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2001-10-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-12-18	公开	公开
2004-09-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

制造具有擦除栅极的分裂栅极闪存存储器单元的方法 [P].

J-W·杨 ;

C-M·陈 ;

M-T·吴 ;

C-C·范 ;

N·多 .

中国专利 :CN111133515A ,2020-05-08

[2]

分裂栅极存储器单元 [P].

田中智晴 .

美国专利 :CN114694733B ,2025-10-31

[3]

分裂栅极存储器单元 [P].

田中智晴 .

中国专利 :CN114694733A ,2022-07-01

[4]

具有浮动栅极、耦合栅极和擦除栅极的存储器单元及其制造方法 [P].

C·德科贝尔特 ;

H·V·特兰 ;

N·多 .

中国专利 :CN113169173A ,2021-07-23

[5]

FinFET中的分裂栅极存储器单元 [P].

高里尚卡尔·L·真达洛雷 ;

克雷格·T·斯维夫特 .

中国专利 :CN101336481B ,2008-12-31

[6]

具有字节擦除操作的分裂栅极闪存存储器阵列 [P].

梁轩 ;

杨任伟 ;

吴满堂 ;

N·多 ;

H·V·特兰 .

美国专利 :CN112119463B ,2024-03-29

[7]

具有字节擦除操作的分裂栅极闪存存储器阵列 [P].

梁轩 ;

杨任伟 ;

吴满堂 ;

N·多 ;

H·V·特兰 .

中国专利 :CN112119463A ,2020-12-22

[8]

分裂栅极存储单元及制造分裂栅极存储单元阵列的方法 [P].

田喜锡 ;

尹胜范 ;

韩晶昱 ;

金龙泰 ;

姜盛泽 ;

徐辅永 ;

权赫基 .

中国专利 :CN1841785A ,2006-10-04

[9]

用于编程分裂栅极存储器单元的方法和对应的存储器器件 [P].

F·拉罗萨 ;

M·曼泰利 ;

S·尼埃尔 ;

A·雷尼耶 .

中国专利 :CN110085273A ,2019-08-02

[10]

具有金属栅极的分裂栅极非易失性闪存存储器单元及其制造方法 [P].

C.苏 ;

F.周 ;

J-W.杨 ;

H.V.陈 ;

N.杜 .

中国专利 :CN108243625B ,2018-07-03

← 1 2 3 4 5 →