减小型分裂栅非易失性闪存单元及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610216805.9

申请日：

2016-04-08

公开(公告)号：

CN107293546A

公开(公告)日：

2017-10-24

发明(设计)人：

C.王

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2711517

IPC分类号：

H01L2711521

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

申屠伟进;王传道

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-04	授权	授权
2017-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11524 申请日:20160408
2017-10-24	公开	公开

共 50 条

[1]

制造分裂栅非易失性闪存单元的方法 [P].

C.王 ;

L.邢 ;

A.刘 ;

M.刁 ;

X.刘 ;

N.杜 .

中国专利 :CN107425003B ,2017-12-01

[2]

具有金属栅的分裂栅非易失性闪存存储器单元及其制造方法 [P].

C.陈 ;

M.吴 ;

J.杨 ;

C.苏 .

中国专利 :CN107112355B ,2017-08-29

[3]

具有硅金属浮动栅极的分裂栅非易失性闪存单元及其制造方法 [P].

J-W.刘 ;

A.科托夫 ;

Y.特卡彻夫 ;

C-S.苏 .

中国专利 :CN105453229B ,2016-03-30

[4]

具有金属增强栅极的分裂栅非易失性闪存存储器单元及其制造方法 [P].

C-M.陈 ;

M-T.吴 ;

J-W.杨 ;

C-S.苏 .

中国专利 :CN107210303A ,2017-09-26

[5]

具有金属栅极的分裂栅极非易失性闪存存储器单元及其制造方法 [P].

C.苏 ;

F.周 ;

J-W.杨 ;

H.V.陈 ;

N.杜 .

中国专利 :CN108243625B ,2018-07-03

[6]

非易失性分裂栅存储器装置及其操作方法 [P].

H.V.陈 ;

H.Q.阮 ;

N.杜 .

中国专利 :CN107077891A ,2017-08-18

[7]

非易失性闪存存储器单元 [P].

索努·达里亚纳尼 ;

博米·陈 ;

梅尔·海马斯 .

中国专利 :CN110024084B ,2019-07-16

[8]

非易失性单元减小功率的编程 [P].

爱德华多·马彦 .

中国专利 :CN1770325A ,2006-05-10

[9]

减小非易失性闪存芯片面积的电路及非易失性闪存芯片 [P].

龙冬庆 ;

刘梦 ;

吴彤彤 ;

温靖康 .

中国专利 :CN112542195B ,2021-03-23

[10]

单栅非易失性快闪存储单元、存储器件及其制造方法 [P].

毛剑宏 ;

韩凤芹 .

中国专利 :CN102201412A ,2011-09-28

← 1 2 3 4 5 →