共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体结构的形成方法
被引：0
申请号：
CN202110319598.0
申请日：
2021-03-25
公开(公告)号：
CN115132660A
公开(公告)日：
2022-09-30
发明(设计)人：
王福喜
王静
崇二敏
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号：
H01L218238
IPC分类号：
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
高静
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-09-30 | 公开 | 公开 |