半导体装置键合结构及其键合方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410842378.6

申请日：

2014-12-29

公开(公告)号：

CN105810649A

公开(公告)日：

2016-07-27

发明(设计)人：

赵立新

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区盛夏路560号2号楼11楼

IPC主分类号：

H01L23485

IPC分类号：

H01L23488 H01L2160

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-27	授权	授权
2016-07-27	公开	公开
2016-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101675842149 IPC(主分类):H01L 23/485 专利申请号:2014108423786 申请日:20141229

共 50 条

[1]

半导体装置键合结构 [P].

赵立新 .

中国专利 :CN204407320U ,2015-06-17

[2]

键合线、键合结构、键合方法及半导体器件 [P].

王令 ;

李春艳 ;

廖勇波 ;

马颖江 .

中国专利 :CN115295518B ,2025-02-11

[3]

半导体键合方法、半导体键合结构和封装结构 [P].

任征宇 ;

田仁杰 .

中国专利 :CN120977883A ,2025-11-18

[4]

半导体材料的键合方法及键合结构 [P].

赵立新 ;

李朝勇 ;

胡杏 ;

邹文 ;

邱裕明 .

中国专利 :CN114724934A ,2022-07-08

[5]

临时半导体结构键合方法和相关的键合半导体结构 [P].

玛丽亚姆·萨达卡 ;

约努茨·拉杜 .

中国专利 :CN105489512B ,2016-04-13

[6]

临时半导体结构键合方法和相关的键合半导体结构 [P].

玛丽亚姆·萨达卡 ;

约努茨·拉杜 .

中国专利 :CN102339769A ,2012-02-01

[7]

半导体临时键合结构、键合与解键合方法及半导体器件 [P].

叶竹之 ;

李辉 ;

陆旺 ;

刘屿剑 .

中国专利 :CN119943797A ,2025-05-06

[8]

一种半导体晶圆、键合结构及其键合方法 [P].

周云鹏 ;

郭万里 ;

胡杏 ;

黄宇恒 .

中国专利 :CN110047911B ,2019-07-23

[9]

半导体装置和半导体键合结构 [P].

曾志翔 ;

黄穗麒 .

中国专利 :CN215418159U ,2022-01-04

[10]

半导体结构键合及解键合的方法 [P].

范增焰 .

中国专利 :CN118507360A ,2024-08-16

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