具有去除了部分材料的电极的电容器以及相关半导体装置、系统和方法

被引：0

申请号：

CN202210068893.8

申请日：

2022-01-20

公开(公告)号：

CN114824085A

公开(公告)日：

2022-07-29

发明(设计)人：

D·D·史莱伦李康乐 M·N·洛克莱黄韦静徐平成 S·科尔克马兹 S·萨帕 A-J·B·程

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L4902

IPC分类号：

H01L27108

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	公开	公开
2022-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 49/02 申请日:20220120

共 50 条

[1]

用于DRAM电容器的掺杂氮化钛材料以及相关半导体装置、系统及方法 [P].

M·N·洛克莱 ;

P·A·帕杜阿诺 ;

S·S·克尔克 ;

C·W·佩茨 ;

Z·宋 ;

V·安东诺夫 ;

陶谦 .

中国专利 :CN111771279A ,2020-10-13

[2]

电容器以及包括该电容器的半导体装置 [P].

李载昊 ;

赵龙僖 ;

张胜愚 ;

朴影根 ;

李周浩 .

中国专利 :CN114566592A ,2022-05-31

[3]

包含电容器的半导体装置、相关电子系统以及相关方法 [P].

E·H·福瑞曼 .

中国专利 :CN109427801A ,2019-03-05

[4]

电容器、半导体装置以及它们的制造方法 [P].

有门经敏 .

中国专利 :CN101919044A ,2010-12-15

[5]

电容器和具有其的半导体装置 [P].

金恩善 ;

姜相列 ;

郑圭镐 ;

曺圭镐 ;

文孝植 .

韩国专利 :CN111063672B ,2024-05-14

[6]

电容器和具有其的半导体装置 [P].

金恩善 ;

姜相列 ;

郑圭镐 ;

曺圭镐 ;

文孝植 .

中国专利 :CN111063672A ,2020-04-24

[7]

半导体装置的电容器的制造方法 [P].

李起正 ;

梁洪善 .

中国专利 :CN1307359A ,2001-08-08

[8]

半导体装置的电容器的制造方法 [P].

李起正 ;

金东俊 .

中国专利 :CN1172361C ,2001-08-01

[9]

电容器和包括该电容器的半导体装置 [P].

郑圭镐 ;

闵淙渶 ;

白智叡 ;

朴晙晳 ;

李叡璱 ;

李眞旭 .

韩国专利 :CN119012905A ,2024-11-22

[10]

具有电容器结构的半导体装置 [P].

李泰坤 ;

李强仁 ;

河智恩 ;

姜敏圭 .

韩国专利 :CN120614814A ,2025-09-09

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