半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410756554.4

申请日：

2014-12-10

公开(公告)号：

CN105742229A

公开(公告)日：

2016-07-06

发明(设计)人：

张海洋张城龙

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-21	授权	授权
2016-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101672623372 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2014107565544 申请日:20141210
2016-07-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN105742182B ,2016-07-06

[2]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN105742183B ,2016-07-06

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN105742230A ,2016-07-06

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

江涛 .

中国专利 :CN111106158A ,2020-05-05

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

尹振忠 ;

田磊 ;

霍武英 .

中国专利 :CN118299262A ,2024-07-05

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

蒋鑫 ;

杨志勇 .

中国专利 :CN111816562B ,2024-05-17

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

蒋鑫 ;

杨志勇 .

中国专利 :CN111816562A ,2020-10-23

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

史鲁斌 .

中国专利 :CN120826155A ,2025-10-21

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

涂武涛 ;

陈天锐 ;

张辰睿 .

中国专利 :CN117790421A ,2024-03-29

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

渠汇 ;

杨鹏 ;

唐睿智 ;

吉利 ;

钱文明 .

中国专利 :CN114823507B ,2025-07-04

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