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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410437765.5
申请日：
2024-04-11
公开(公告)号：
CN120826155A
公开(公告)日：
2025-10-21
发明(设计)人：
史鲁斌
申请人：
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
IPC主分类号：
H10N97/00
IPC分类号：
H01L23/64
H01L21/768
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
吴敏
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-21 | 公开 | 公开 |
| 2025-11-07 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10N 97/00申请日:20240411 |