导电性氮化硅复合烧结体及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02124784.6

申请日：

2002-06-25

公开(公告)号：

CN1272283C

公开(公告)日：

2003-08-13

发明(设计)人：

吉村雅司

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C04B35584

IPC分类号：

C04B35626 C04B3564 H01B100

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

宋莉;贾静环

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-08-13	公开	公开
2006-08-30	授权	授权
2012-08-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101317113295 IPC(主分类):C04B 35/584 专利号:ZL021247846 申请日:20020625 授权公告日:20060830 终止日期:20110625
2005-02-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

氮化硅基复合烧结体及其生产方法 [P].

吉村雅司 .

中国专利 :CN1461287A ,2003-12-10

[2]

氮化硅烧结体 [P].

松本理 ;

高桥光隆 .

日本专利 :CN119968349A ,2025-05-09

[3]

氮化硅烧结体及其制造方法 [P].

有马峻 ;

松村保范 ;

梶野仁 .

中国专利 :CN103813997A ,2014-05-21

[4]

氮化硅粉末及其制造方法、和氮化硅烧结体及其制造方法 [P].

中村祐三 ;

宫下敏行 .

日本专利 :CN118922396A ,2024-11-08

[5]

氮化硅粉末及其制造方法、以及氮化硅烧结体及其制造方法 [P].

五十岚厚树 ;

镰田一辉 ;

平田贤史 ;

长与龙之介 ;

小桥圣治 .

日本专利 :CN120916972A ,2025-11-07

[6]

生片、氮化硅烧结体的制造方法及氮化硅烧结体 [P].

草野大 ;

后藤邦拓 .

日本专利 :CN118119577A ,2024-05-31

[7]

氮化硅烧结体及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

松本理 ;

高桥光隆 .

日本专利 :CN118541339A ,2024-08-23

[8]

氮化硅烧结体 [P].

石本龙二 ;

草野大 .

日本专利 :CN121175284A ,2025-12-19

[9]

氮化硅烧结体 [P].

石本龙二 ;

草野大 .

日本专利 :CN120152947A ,2025-06-13

[10]

氮化硅粉末及其制造方法、以及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

中村祐三 ;

宫下敏行 .

中国专利 :CN113614035A ,2021-11-05

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