有机半导体膜的制造方法及有机半导体膜阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080044409.3

申请日：

2010-08-26

公开(公告)号：

CN102598232A

公开(公告)日：

2012-07-18

发明(设计)人：

竹谷纯一植村隆文

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21368

IPC分类号：

H01L21336 H01L29786 H01L5105 H01L5130 H01L5140

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

徐殿军

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-24	授权	授权
2016-10-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101740339445 IPC(主分类):H01L 21/368 专利号:ZL2010800444093 登记生效日:20160926 变更事项:专利权人变更前权利人:国立大学法人大阪大学变更后权利人:PI-克瑞斯托株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:日本大阪府
2012-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101327314052 IPC(主分类):H01L 21/368 专利申请号:2010800444093 申请日:20100826
2012-07-18	公开	公开
2019-03-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/368 变更事项:专利权人变更前:PI-克瑞斯托株式会社变更后:PI-克瑞斯托株式会社变更事项:地址变更前:日本大阪府变更后:日本千叶

共 50 条

[1]

有机半导体膜的成膜方法 [P].

岩濑英二郎 .

中国专利 :CN113366655A ,2021-09-07

[2]

有机半导体膜的制造方法 [P].

中村诚吾 ;

前原佳纪 ;

板井雄一郎 ;

宇佐美由久 ;

竹谷纯一 .

中国专利 :CN108475644A ,2018-08-31

[3]

生产半导体有机膜的方法 [P].

皮埃尔·让·伊夫·吉夏尔 ;

克里斯托夫·德雷纳 .

中国专利 :CN105206748A ,2015-12-30

[4]

有机半导体膜的形成方法、有机半导体膜及有机薄膜晶体管 [P].

小渕礼子 ;

竹村千代子 ;

平井桂 .

中国专利 :CN101203950A ,2008-06-18

[5]

有机半导体元件、有机半导体组合物、有机半导体膜、有机半导体膜的制造方法及用于这些的聚合物 [P].

谷征夫 ;

白兼研史 ;

渡边哲也 ;

冈本敏宏 ;

竹谷纯一 .

中国专利 :CN111542939A ,2020-08-14

[6]

有机膜晶体管、有机半导体膜及有机半导体材料以及它们的应用 [P].

金子明弘 ;

高久浩二 ;

米久田康智 ;

平井友树 ;

杉浦宽记 ;

小柳雅史 ;

益居健介 .

中国专利 :CN105378962B ,2016-03-02

[7]

有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

渡边峻一郎 ;

佐佐木真理 ;

牧田龙幸 .

中国专利 :CN113454800A ,2021-09-28

[8]

有机半导体器件、有机半导体单晶膜的制造方法、以及有机半导体器件的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

渡边峻一郎 ;

佐佐木真理 ;

牧田龙幸 .

日本专利 :CN113454800B ,2024-12-20

[9]

有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜、有机半导体膜形成用分散液、有机半导体薄膜的制造方法及有机薄膜晶体管 [P].

市川结 ;

全现九 ;

小熊尚实 ;

平田直毅 ;

河野寿夫 .

中国专利 :CN103081149A ,2013-05-01

[10]

有机膜晶体管、有机半导体膜、有机半导体材料和它们的应用 [P].

高久浩二 ;

金子明弘 ;

杉浦宽记 ;

益居健介 ;

米久田康智 ;

平井友树 ;

小柳雅史 .

中国专利 :CN105378961B ,2016-03-02

← 1 2 3 4 5 →