一种大面积纳米缝电极阵列并行制造的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210563309.2

申请日：

2012-12-21

公开(公告)号：

CN103030098B

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

王文君梅雪松刘斌王恪典姜歌东郑卜祥

申请人：

申请人地址：

710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

西安智大知识产权代理事务所 61215

代理人：

贺建斌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101452523070 IPC(主分类):B81C 1/00 专利申请号:2012105633092 申请日:20121221
2013-04-10	公开	公开
2015-08-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种大面积纳米缝电极并行制造方法 [P].

邵金友 ;

丁玉成 ;

缪林林 ;

李欣 ;

黎相孟 .

中国专利 :CN102328903B ,2012-01-25

[2]

室温下Pd薄膜大面积纳米缝阵列并行制造方法 [P].

邵金友 ;

丁玉成 ;

刘嘉伟 ;

李智钢 ;

田洪淼 ;

李祥明 .

中国专利 :CN103871804A ,2014-06-18

[3]

大面积纳米结构阵列的制备方法 [P].

王坚 ;

何增华 ;

王晖 .

中国专利 :CN103540985B ,2014-01-29

[4]

一种大面积的纳米透镜型阵列及其制备方法 [P].

任斌 ;

刘博文 ;

刘守 ;

王磊 .

中国专利 :CN108627894A ,2018-10-09

[5]

一种柔性衬底上大面积金属纳米针尖阵列的制备方法 [P].

孟秋实 ;

郭进 ;

曹国威 ;

周杰 ;

王俊 .

中国专利 :CN106809802A ,2017-06-09

[6]

一种大面积纳米盘的制备方法 [P].

陈凯 ;

马楚荣 ;

赵峰 .

中国专利 :CN114481043A ,2022-05-13

[7]

垂直对齐的GaAs半导体纳米线阵列的大面积制造方法 [P].

李雨 ;

申正镐 .

中国专利 :CN106794985B ,2017-05-31

[8]

大面积制备银纳米线透明电极的方法及银纳米线透明电极 [P].

杨柳 ;

寇鹏飞 ;

迟克群 ;

何赛灵 .

中国专利 :CN104616833A ,2015-05-13

[9]

一种利用吸水树脂膨胀并行制备大面积金属纳米狭缝的方法 [P].

王雷 ;

王霞 ;

代美芹 .

中国专利 :CN114293161A ,2022-04-08

[10]

一种制造超大面积纳米压印无缝图案的装置 [P].

谷岩 ;

周岩 ;

林洁琼 ;

李景鹏 ;

张群 ;

孙慧岩 ;

郑恭承 ;

易正发 ;

冯开拓 ;

曹东旭 ;

刘阳 ;

孙彦东 .

中国专利 :CN207301617U ,2018-05-01

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