聚硅氧烷薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03814698.3

申请日：

2003-06-05

公开(公告)号：

CN1662608A

公开(公告)日：

2005-08-31

发明(设计)人：

须藤通孝 D·E·凯特索里斯栉引信男

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C08L8304

IPC分类号：

C08G7742 C08J518

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

刘明海

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-20	授权	授权
2005-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-08-31	公开	公开
2016-08-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101672719831 IPC(主分类):C08L 83/04 专利号:ZL038146983 申请日:20030605 授权公告日:20070620 终止日期:20150605

共 50 条

[1]

有机聚硅氧烷树脂的制备方法 [P].

托马斯·克勒 ;

曼弗雷德·迈森贝格尔 ;

沃尔夫冈·阿克曼 .

中国专利 :CN1491970A ,2004-04-28

[2]

连续制备聚硅氧烷乳液的方法 [P].

R·施罗克 ;

O·施奈德 .

中国专利 :CN1942509B ,2007-04-04

[3]

聚硅氧烷单体及其制备方法 [P].

冈村薰 .

中国专利 :CN110494457B ,2019-11-22

[4]

有机聚硅氧烷及其制备方法 [P].

C·赫尔齐希 ;

H·劳滕施拉格尔 .

中国专利 :CN101233172A ,2008-07-30

[5]

一种环氧基二苯基硅氧烷桥基梯形聚硅氧烷及其制备方法 [P].

鲁智灿 ;

李俊宇 ;

曾绮卉 ;

郑泽宇 ;

赵哲宇 ;

易生平 ;

李浩哲 ;

黄一格 ;

周鹏 ;

袁博 .

中国专利 :CN118599122A ,2024-09-06

[6]

聚硅氧烷及其制备 [P].

S·韦斯特尔 ;

A·瑟吉纳 ;

P·C·霍普菲尔德 .

中国专利 :CN100415804C ,2006-07-05

[7]

填充聚硅氧烷组合物以及固化的聚硅氧烷产品 [P].

T·曹 .

中国专利 :CN1688509A ,2005-10-26

[8]

有机基聚硅氧烷，其制备方法，可固化的硅氧烷组合物及其固化产物 [P].

森田好次 ;

须藤通孝 .

中国专利 :CN101981088B ,2011-02-23

[9]

阻燃有机聚硅氧烷组合物 [P].

堀越淳 ;

木村恒雄 ;

龟田宜良 .

中国专利 :CN101724270B ,2010-06-09

[10]

制备硅氧烷低聚物溶液的方法以及由该溶液形成的有机聚硅氧烷薄膜 [P].

张祖依 .

中国专利 :CN1172937C ,2002-06-05

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