聚硅氧烷单体及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880024264.7

申请日：

2018-03-30

公开(公告)号：

CN110494457B

公开(公告)日：

2019-11-22

发明(设计)人：

冈村薰

申请人：

申请人地址：

日本东京都千代田区大手町２丁目６番１号

IPC主分类号：

C08F3008

IPC分类号：

C08F29014 C08G6548 C08G7720 C08G7738 C08G8100 C08J3075 G02C704

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

童春媛;梅黎

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08F 30/08 申请日:20180330
2022-04-01	授权	授权
2019-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

聚硅氧烷单体及其制造方法 [P].

冈村薰 .

中国专利 :CN112262160A ,2021-01-22

[2]

聚硅氧烷薄膜及其制备方法 [P].

须藤通孝 ;

D·E·凯特索里斯 ;

栉引信男 .

中国专利 :CN1662608A ,2005-08-31

[3]

有机聚硅氧烷及其制备方法 [P].

C·赫尔齐希 ;

H·劳滕施拉格尔 .

中国专利 :CN101233172A ,2008-07-30

[4]

聚硅氧烷及其制备 [P].

S·韦斯特尔 ;

A·瑟吉纳 ;

P·C·霍普菲尔德 .

中国专利 :CN100415804C ,2006-07-05

[5]

高纯度聚硅氧烷大分子单体及其制备方法 [P].

B·C·阿克莱斯 ;

J·D·高夫 .

美国专利 :CN118401532A ,2024-07-26

[6]

聚硅氧烷的制备方法及其用途 [P].

查从济 ;

D·库库尔吉 .

中国专利 :CN100341923C ,2006-01-11

[7]

聚硅氧烷的制备方法及其用途 [P].

A·沙姆舒林 ;

D·库库利 ;

G·R·阿特金斯 .

中国专利 :CN101541863B ,2009-09-23

[8]

聚硅氧烷及其制造方法 [P].

根岸千幸 ;

吉川裕司 .

中国专利 :CN111315801B ,2020-06-19

[9]

聚硅氧烷及其制造方法 [P].

小川琢哉 ;

今井纮平 ;

大岛义人 .

中国专利 :CN101248106A ,2008-08-20

[10]

一种硅氧烷桥基梯形聚硅氧烷及其制备方法 [P].

曹新宇 ;

张榕本 ;

谢萍 ;

方世壁 ;

马永梅 .

中国专利 :CN104045831B ,2014-09-17

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