半导体元件的特性预测系统

被引：0

申请号：

CN202080079074.2

申请日：

2020-11-06

公开(公告)号：

CN114730698A

公开(公告)日：

2022-07-08

发明(设计)人：

细海俊介铃木邦彦安部宽太岩城裕司岛田大吾鎌田悦子

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

刘倜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-08	公开	公开
2022-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20201106

共 50 条

[1]

半导体元件的电特性预测方法 [P].

井上圣子 ;

幸村雄介 ;

福留贵浩 .

中国专利 :CN113841222A ,2021-12-24

[2]

半导体元件的特性试验装置和半导体元件的特性试验方法 [P].

山本浩 .

中国专利 :CN102998606A ,2013-03-27

[3]

半导体元件的布局、系统与半导体元件 [P].

昆杜·阿密特 ;

洪照俊 .

中国专利 :CN110970415B ,2025-04-18

[4]

具有改进的动态特性的半导体元件 [P].

M·曾德尔 ;

F·赫勒 .

中国专利 :CN101364613A ,2009-02-11

[5]

半导体元件、半导体元件的制造方法以及使用半导体元件的半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

本田达也 ;

平石铃之介 ;

金村大志 ;

太田将志 .

中国专利 :CN103123936A ,2013-05-29

[6]

制造半导体元件的方法及半导体元件制造系统 [P].

彭荣赐 .

中国专利 :CN120559950A ,2025-08-29

[7]

半导体元件和包括该半导体元件的半导体元件封装 [P].

成演准 ;

李容京 ;

金珉成 ;

朴修益 .

中国专利 :CN109997234B ,2019-07-09

[8]

半导体元件和使用半导体元件的半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

加藤清 ;

矶部敦生 ;

宫入秀和 ;

须泽英臣 .

中国专利 :CN101217150B ,2008-07-09

[9]

半导体元件和使用半导体元件的半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

加藤清 ;

矶部敦生 ;

宫入秀和 ;

须泽英臣 .

中国专利 :CN100350617C ,2003-09-24

[10]

半导体元件的制造方法以及半导体元件的制造系统 [P].

荻原光彦 .

中国专利 :CN114127894A ,2022-03-01

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