高纯度MoAlB陶瓷粉体及致密块体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710815613.4

申请日：

2017-09-08

公开(公告)号：

CN107512912A

公开(公告)日：

2017-12-26

发明(设计)人：

李世波刘杰胡树郡周洋李翠伟黄振莺翟洪祥

申请人：

申请人地址：

100044 北京市海淀区上园村3号

IPC主分类号：

C04B3558

IPC分类号：

C04B35626

代理机构：

北京正理专利代理有限公司 11257

代理人：

付生辉

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/58 申请公布日:20171226
2017-12-26	公开	公开
2018-01-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/58 申请日:20170908

共 50 条

[1]

高纯度Fe2AlB2陶瓷粉体及致密块体的制备方法 [P].

李世波 ;

胡树郡 ;

刘杰 ;

于文波 ;

周洋 ;

李翠伟 ;

黄振莺 ;

翟洪祥 .

中国专利 :CN107555998A ,2018-01-09

[2]

致密MoAlB陶瓷材料的制备方法、其产物及高纯MoAlB陶瓷粉的制备方法 [P].

贝国平 .

中国专利 :CN111116206A ,2020-05-08

[3]

一种MoAlB陶瓷粉体的制备方法 [P].

胡春峰 ;

朱德贵 ;

许璐迪 ;

刘彩云 .

中国专利 :CN107602132A ,2018-01-19

[4]

高熵稀土硅酸盐陶瓷粉体和块体制备方法及陶瓷粉体 [P].

张涛 ;

丁坤英 ;

贾治豪 ;

张石华 .

中国专利 :CN118771887A ,2024-10-15

[5]

(HfTaZrTiNb)C高熵陶瓷粉体及高熵陶瓷粉体和高熵陶瓷块体的制备方法 [P].

王一光 ;

王毅 ;

王皓轩 ;

陈意高 ;

任科 .

中国专利 :CN108439986A ,2018-08-24

[6]

制备高纯度、致密的Ti3SiC2块体材料的方法 [P].

赫晓东 ;

朱春城 ;

柏跃磊 .

中国专利 :CN101186296B ,2008-05-28

[7]

在真空状态下制备高纯度钛硅碳陶瓷粉体的方法 [P].

潘伟 ;

韩若冰 .

中国专利 :CN1778767A ,2006-05-31

[8]

一种超高纯度Cr2GaC陶瓷粉体的制备方法 [P].

胡春峰 ;

索尔沃托瑞·格拉索 ;

朱德贵 ;

徐强 .

中国专利 :CN109369188A ,2019-02-22

[9]

高纯度碳化铝钛陶瓷粉体的常压合成方法 [P].

李世波 ;

向卫华 ;

贝国平 ;

翟洪祥 ;

周洋 .

中国专利 :CN1944337A ,2007-04-11

[10]

一种高纯度的致密WAlB MAB相陶瓷块体材料及其制备方法 [P].

张东亚 ;

施立群 .

中国专利 :CN114276146A ,2022-04-05

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