一种超高纯度Cr2GaC陶瓷粉体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811528980.7

申请日：

2018-12-13

公开(公告)号：

CN109369188A

公开(公告)日：

2019-02-22

发明(设计)人：

胡春峰索尔沃托瑞·格拉索朱德贵徐强

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市金牛区二环路北一段

IPC主分类号：

C04B3556

IPC分类号：

C04B35626

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/56 申请日:20181213
2019-02-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高纯度Cr2AlC陶瓷粉体的制备方法 [P].

朱建锋 ;

江浩 ;

王芬 ;

杨晨辉 .

中国专利 :CN104496477A ,2015-04-08

[2]

高纯度MoAlB陶瓷粉体及致密块体的制备方法 [P].

李世波 ;

刘杰 ;

胡树郡 ;

周洋 ;

李翠伟 ;

黄振莺 ;

翟洪祥 .

中国专利 :CN107512912A ,2017-12-26

[3]

一种高纯度MAX相陶瓷粉体的制备方法 [P].

黄庆 ;

胡春峰 ;

汪乾 .

中国专利 :CN102633505A ,2012-08-15

[4]

高纯度Fe2AlB2陶瓷粉体及致密块体的制备方法 [P].

李世波 ;

胡树郡 ;

刘杰 ;

于文波 ;

周洋 ;

李翠伟 ;

黄振莺 ;

翟洪祥 .

中国专利 :CN107555998A ,2018-01-09

[5]

一种合成Cr2AlC陶瓷粉体的方法 [P].

关春龙 ;

刘国勤 ;

王春华 ;

赵志伟 ;

李彦涛 ;

张子平 ;

程巧换 ;

祁颖 .

中国专利 :CN103896591A ,2014-07-02

[6]

一种MoAlB陶瓷粉体的制备方法 [P].

胡春峰 ;

朱德贵 ;

许璐迪 ;

刘彩云 .

中国专利 :CN107602132A ,2018-01-19

[7]

Cr<sub>2</sub>AlC陶瓷粉体及其制备方法、应用 [P].

刘青琳 ;

廖云庭 ;

任平 ;

贺毅 ;

文晓军 ;

何亮 ;

金应荣 .

中国专利 :CN118561280A ,2024-08-30

[8]

一种TiB2陶瓷粉体的制备方法 [P].

柯昌明 ;

张锦化 ;

秦智 ;

王景然 .

中国专利 :CN109251036A ,2019-01-22

[9]

一种AlN陶瓷粉体的制备方法 [P].

余明先 ;

张霖 ;

王伟江 ;

刘友昌 ;

戴高环 ;

王超 ;

何培与 ;

何晓刚 ;

姚伟昌 ;

李毅 .

中国专利 :CN112919914A ,2021-06-08

[10]

在真空状态下制备高纯度钛硅碳陶瓷粉体的方法 [P].

潘伟 ;

韩若冰 .

中国专利 :CN1778767A ,2006-05-31

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