一种MOS晶体管的测试设备及测试方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111340631.4
申请日
2021-11-12
公开(公告)号
CN114047421A
公开(公告)日
2022-02-15
发明(设计)人
杨贵兰 杨良鑫
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市宝安区西乡街道渔业社区宝源路1084号财富港A、B座B座915
IPC主分类号
G01R3126
IPC分类号
代理机构
深圳市中科创为专利代理有限公司 44384
代理人
谢志龙;徐方星
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
MOS晶体管测试电路及对应的测试方法 [P]. 
冯军宏 ;
甘正浩 .
中国专利 :CN103852701B ,2014-06-11
[2]
MOS晶体管的测试结构及测试方法 [P]. 
甘正浩 .
中国专利 :CN104808126A ,2015-07-29
[3]
MOS晶体管的测试结构 [P]. 
田武 ;
王康 .
中国专利 :CN118398603B ,2024-08-23
[4]
MOS晶体管的测试结构 [P]. 
田武 ;
王康 .
中国专利 :CN118398603A ,2024-07-26
[5]
MOS晶体管的开启电压测试系统及测试方法 [P]. 
牛刚 .
中国专利 :CN105988072B ,2016-10-05
[6]
SOI体接触MOS晶体管的测试结构及测试方法 [P]. 
李乐 .
中国专利 :CN102543957A ,2012-07-04
[7]
晶体管测试设备及其测试方法 [P]. 
刘士坤 ;
周玲玲 ;
邓攀 ;
季鸣 .
中国专利 :CN117761496A ,2024-03-26
[8]
MOS晶体管的封装级测试方法及装置 [P]. 
向军 ;
杨伟东 .
中国专利 :CN120595072A ,2025-09-05
[9]
MOS晶体管的封装级测试方法及装置 [P]. 
张西刚 ;
李杲宇 .
中国专利 :CN119438842A ,2025-02-14
[10]
MOS晶体管封装级测试方法以及MOS晶体管制造方法 [P]. 
王磊 .
中国专利 :CN102759697A ,2012-10-31