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一种MOS晶体管的测试设备及测试方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111340631.4
申请日
:
2021-11-12
公开(公告)号
:
CN114047421A
公开(公告)日
:
2022-02-15
发明(设计)人
:
杨贵兰
杨良鑫
申请人
:
申请人地址
:
518000 广东省深圳市宝安区西乡街道渔业社区宝源路1084号财富港A、B座B座915
IPC主分类号
:
G01R3126
IPC分类号
:
代理机构
:
深圳市中科创为专利代理有限公司 44384
代理人
:
谢志龙;徐方星
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-03-04
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20211112
2022-02-15
公开
公开
共 50 条
[1]
MOS晶体管测试电路及对应的测试方法
[P].
冯军宏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
冯军宏
;
甘正浩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
甘正浩
.
中国专利
:CN103852701B
,2014-06-11
[2]
MOS晶体管的测试结构及测试方法
[P].
甘正浩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
甘正浩
.
中国专利
:CN104808126A
,2015-07-29
[3]
MOS晶体管的测试结构
[P].
田武
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
杭州积海半导体有限公司
杭州积海半导体有限公司
田武
;
王康
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
杭州积海半导体有限公司
杭州积海半导体有限公司
王康
.
中国专利
:CN118398603B
,2024-08-23
[4]
MOS晶体管的测试结构
[P].
田武
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
杭州积海半导体有限公司
杭州积海半导体有限公司
田武
;
王康
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
杭州积海半导体有限公司
杭州积海半导体有限公司
王康
.
中国专利
:CN118398603A
,2024-07-26
[5]
MOS晶体管的开启电压测试系统及测试方法
[P].
牛刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
牛刚
.
中国专利
:CN105988072B
,2016-10-05
[6]
SOI体接触MOS晶体管的测试结构及测试方法
[P].
李乐
论文数:
0
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0
h-index:
0
李乐
.
中国专利
:CN102543957A
,2012-07-04
[7]
晶体管测试设备及其测试方法
[P].
刘士坤
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
刘士坤
;
周玲玲
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
周玲玲
;
邓攀
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
邓攀
;
季鸣
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
季鸣
.
中国专利
:CN117761496A
,2024-03-26
[8]
MOS晶体管的封装级测试方法及装置
[P].
向军
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
禾纳半导体(深圳)有限公司
禾纳半导体(深圳)有限公司
向军
;
杨伟东
论文数:
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引用数:
0
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0
机构:
禾纳半导体(深圳)有限公司
禾纳半导体(深圳)有限公司
杨伟东
.
中国专利
:CN120595072A
,2025-09-05
[9]
MOS晶体管的封装级测试方法及装置
[P].
张西刚
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
深圳市深鸿盛电子有限公司
深圳市深鸿盛电子有限公司
张西刚
;
李杲宇
论文数:
0
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0
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0
机构:
深圳市深鸿盛电子有限公司
深圳市深鸿盛电子有限公司
李杲宇
.
中国专利
:CN119438842A
,2025-02-14
[10]
MOS晶体管封装级测试方法以及MOS晶体管制造方法
[P].
王磊
论文数:
0
引用数:
0
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0
王磊
.
中国专利
:CN102759697A
,2012-10-31
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