MOS晶体管封装级测试方法以及MOS晶体管制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210261950.0

申请日：

2012-07-26

公开(公告)号：

CN102759697A

公开(公告)日：

2012-10-31

发明(设计)人：

王磊

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

G01R3102 H01L21336

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-03	授权	授权
2014-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588046022 IPC(主分类):G01R 31/26 专利申请号:2012102619500 申请日:20120726
2012-10-31	公开	公开
2014-06-04	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701323719 IPC(主分类):G01R 31/26 专利申请号:2012102619500 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140506

共 50 条

[1]

MOS晶体管制造方法及MOS晶体管 [P].

涂火金 ;

郑凯仁 ;

张瑜 ;

胡展源 .

中国专利 :CN113394159A ,2021-09-14

[2]

MOS晶体管以及制造MOS晶体管的方法 [P].

斯蒂芬·约·塞西尔·亨利·特厄乌文 ;

约翰内斯·阿德里安努斯·马里亚·德博特 ;

约斯·克拉佩 .

中国专利 :CN101326643B ,2008-12-17

[3]

MOS晶体管制造方法 [P].

令海阳 ;

巨晓华 ;

黄庆丰 ;

包德君 .

中国专利 :CN102270576A ,2011-12-07

[4]

改善MOS晶体管击穿电压的方法以及MOS晶体管制造方法 [P].

江红 .

中国专利 :CN102386102B ,2012-03-21

[5]

MOS晶体管隔离区制造方法及MOS晶体管 [P].

邵丽 .

中国专利 :CN102184869B ,2011-09-14

[6]

MOS晶体管 [P].

郑仲馗 ;

尹彬锋 .

中国专利 :CN114334954A ,2022-04-12

[7]

MOS晶体管 [P].

郑仲馗 ;

尹彬锋 .

中国专利 :CN114334954B ,2025-11-28

[8]

一种MOS晶体管制备方法及MOS晶体管 [P].

余快 ;

杜天伦 .

中国专利 :CN118263131A ,2024-06-28

[9]

一种MOS晶体管制备方法及MOS晶体管 [P].

余快 ;

杜天伦 .

中国专利 :CN118263131B ,2024-08-09

[10]

MOS晶体管及用于制造MOS晶体管结构的方法 [P].

福尔克尔·杜德克 .

中国专利 :CN1652321A ,2005-08-10

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