存储器阵列中的低电压数据路径

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880015236.5

申请日：

2008-04-28

公开(公告)号：

CN101681681B

公开(公告)日：

2010-03-24

发明(设计)人：

马切耶·巴阔斯基哈姆德·格哈斯米于伊·B·恩古叶恩

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

G11C1928

IPC分类号：

G06F700

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

穆德骏;陆锦华

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-08	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G11C 19/28 变更事项:专利权人变更前:飞思卡尔半导体公司变更后:恩智浦美国有限公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯变更后:美国得克萨斯
2010-03-24	公开	公开
2013-03-13	授权	授权
2010-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001463466 IPC(主分类):G11C 19/28 专利申请号:2008800152365 申请日:20080428

共 50 条

[1]

具有低电压读取路径及高电压擦除/写入路径的EEPROM存储器单元 [P].

肯特·休依特 ;

杰克·王 ;

博米·陈 ;

索努·达里亚纳尼 ;

杰弗里·A·沙尔德 ;

丹尼尔·欧法利兹 ;

梅尔·海马斯 .

中国专利 :CN105051903B ,2015-11-11

[2]

共享存储器阵列p-阱的低电压列解码器 [P].

马西米利亚诺·弗鲁利奥 ;

斯特凡诺·苏里科 ;

安德烈亚·萨科 ;

达维德·曼弗雷 .

中国专利 :CN101536107B ,2009-09-16

[3]

容错存储器阵列和在存储器阵列中执行错误校正的方法 [P].

J·L·麦科勒姆 .

中国专利 :CN114258571A ,2022-03-29

[4]

低电压工作动态随机访问存储器电路 [P].

邱源城 .

中国专利 :CN1898744A ,2007-01-17

[5]

用于存储器阵列中数据的DQS [P].

J·P·金 ;

A·明佐尼 .

中国专利 :CN1910700A ,2007-02-07

[6]

存储器感测电路及用于低电压操作的方法 [P].

劳尔－阿德里安·切尔内亚 .

中国专利 :CN101107671A ,2008-01-16

[7]

存储器阵列外围中的位串累加 [P].

V·S·拉梅什 .

中国专利 :CN113924622B ,2022-01-11

[8]

具有低电压模式操作的存储器 [P].

H·B·恩古延 ;

T·L·库珀 ;

R·拉玛拉朱 ;

A·C·拉塞尔 .

中国专利 :CN102376351B ,2012-03-14

[9]

数据存储器阵列 [P].

史蒂文·罗伯特·赫茨勒 ;

丹尼尔·费利克斯·史密斯 ;

施米尔·威诺格拉德 .

中国专利 :CN1902592A ,2007-01-24

[10]

低电压操作的电可擦可编程只读存储器阵列 [P].

林信章 ;

戴家豪 ;

叶仰森 ;

杨明苍 ;

范雅婷 .

中国专利 :CN102376717B ,2012-03-14

← 1 2 3 4 5 →