具有低电压读取路径及高电压擦除/写入路径的EEPROM存储器单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480015495.3

申请日：

2014-03-13

公开(公告)号：

CN105051903B

公开(公告)日：

2015-11-11

发明(设计)人：

肯特·休依特杰克·王博米·陈索努·达里亚纳尼杰弗里·A·沙尔德丹尼尔·欧法利兹梅尔·海马斯

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

G11C1156 G11C1604 H01L2966 H01L29788

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

沈锦华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-20	授权	授权
2016-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101654735432 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2014800154953 申请日:20140313
2015-11-11	公开	公开

共 50 条

[1]

存储器阵列中的低电压数据路径 [P].

马切耶·巴阔斯基 ;

哈姆德·格哈斯米 ;

于伊·B·恩古叶恩 .

中国专利 :CN101681681B ,2010-03-24

[2]

低电压双向福乐诺汉写入/擦除闪速存储器 [P].

杨青松 ;

沈士杰 ;

徐清祥 .

中国专利 :CN1302550C ,2004-03-10

[3]

最小化位干扰及存储器阵列及支持电路的电压耐受要求的用于编程及擦除NMOS EEPROM单元阵列的方法 [P].

肯特·休依特 ;

唐纳德·格伯 ;

杰弗里·A·希尔兹 .

中国专利 :CN101454842B ,2009-06-10

[4]

具有高电压存储器的车辆以及高电压存储器 [P].

M·兰普夫 ;

N·盖斯勒 ;

D·希尔舍尔 .

中国专利 :CN112512642A ,2021-03-16

[5]

高电压存储器和具有高电压存储器的车辆 [P].

F·海希特 .

中国专利 :CN215398189U ,2022-01-04

[6]

适用于低电压非易失性存储器的读取及擦除验证方法及电路 [P].

陈健 ;

坎德克尔·N·夸德尔 .

中国专利 :CN1791941A ,2006-06-21

[7]

低电压单层多晶硅电可擦编程只读存储器(EEPROM)存储单元 [P].

M·I·昌德里 ;

D·A·卡弗 .

中国专利 :CN100511577C ,2007-06-06

[8]

具有在低电压下操作的读取电路的非易失性存储器 [P].

D·曼弗雷 ;

L·卡佩奇 ;

M·卡里希米 ;

M·帕索蒂 .

:CN112151093B ,2025-08-22

[9]

具有在低电压下操作的读取电路的非易失性存储器 [P].

D·曼弗雷 ;

L·卡佩奇 ;

M·卡里希米 ;

M·帕索蒂 .

中国专利 :CN112151093A ,2020-12-29

[10]

具有低电压模式操作的存储器 [P].

H·B·恩古延 ;

T·L·库珀 ;

R·拉玛拉朱 ;

A·C·拉塞尔 .

中国专利 :CN102376351B ,2012-03-14

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